[發明專利]有機發光二極管顯示裝置有效
| 申請號: | 201810282446.6 | 申請日: | 2014-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN108511462B | 公開(公告)日: | 2022-10-25 |
| 發明(設計)人: | 李瑛長;鄭浩永 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示裝置 | ||
1.一種有機發光二極管顯示裝置,該有機發光二極管顯示裝置包括:
基板;
所述基板上方的選通線和數據線;
與所述選通線和所述數據線連接的開關薄膜晶體管;
與所述開關薄膜晶體管連接并包括第一半導體層的驅動薄膜晶體管;
與所述驅動薄膜晶體管的柵極和漏極連接的存儲電容器;以及
與所述漏極連接并發光的發光二極管,
其中,所述存儲電容器包括與所述漏極連接的第一電容器電極和與所述柵極連接的第二電容器電極,所述第一電容器電極和所述第二電容器電極形成第一電容器,
其中,在所述第一電容器電極和所述第二電容器電極之間設置緩沖層、第二半導體層和柵絕緣層,所述柵絕緣層具有暴露所述第二半導體層的至少一個孔,
其中,所述緩沖層形成在所述第一電容器電極上,所述第二半導體層形成在所述緩沖層上,所述柵絕緣層形成在所述第二半導體層上,并且,所述第二電容器電極形成在所述柵絕緣層上并通過所述至少一個孔接觸所述第二半導體層,并且
其中,所述柵絕緣層具有多個孔和電容器接觸孔,所述多個孔暴露所述第二半導體層從而由于在所述多個孔的邊緣處的邊緣場效應而增大所述第一電容器的電容,并且所述電容器接觸孔暴露所述第一電容器電極。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,其中,所述存儲電容器還包括與所述漏極連接并設置在所述第二電容器電極上方的第三電容器電極,并且所述第二電容器電極和所述第三電容器電極形成與所述第一電容器并聯連接的第二電容器。
3.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,其中,所述第一半導體層和所述第二半導體層包括氧化物半導體材料。
4.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,所述有機發光二極管顯示裝置還包括設置在所述第一半導體層下方并與所述柵極電連接的阻光層。
5.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,所述有機發光二極管顯示裝置還包括在所述漏極與所述第一電容器電極之間并與所述第二電容器電極設置在同一層上的連接圖案。
6.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,其中,所述第二半導體層與所述第一半導體層形成在同一層上,并且用作電介質。
7.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,其中,所述第一半導體層形成在所述緩沖層上,所述柵絕緣層進一步形成在所述第一半導體層上,并且所述驅動薄膜晶體管的所述柵極形成在所述柵絕緣層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





