[發明專利]一種玉蘭的栽培方法在審
| 申請號: | 201810280404.9 | 申請日: | 2018-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN108668733A | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發明(設計)人: | 伍管 | 申請(專利權)人: | 伍管 |
| 主分類號: | A01G17/00 | 分類號: | A01G17/00;A01G2/10 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 422200 湖南省邵陽市隆回縣*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 預埋管 施用 鉀復合肥 栽培基質 栽培 通孔 玉蘭 防水透氣膜 腐熟發酵 苗木移栽 生長季節 栽培管理 啟閉閥 側壁 次氮 次磷 氮肥 底壁 爛根 挖穴 預埋 制備 焊接 連通 移栽 苗圃 裸露 樹苗 出口 | ||
本發明公開了一種玉蘭的栽培方法,該栽培方法,包括以下步驟:(A)苗圃鋪建以特定的蒙金土為栽培基質,劃界限,在界限處預埋預埋管;不同預埋管之間連通,入口和出口裸露在栽培基質外;(B)苗木移栽早春移栽,選樹苗,挖穴;(C)栽培管理每年花前施用一次氮、磷、鉀復合肥,花后施用一次氮肥,7或8月施用一次磷、鉀復合肥,入冬前施用一次腐熟發酵的圈肥;在生長季節除雨季外,向預埋管內以一定時間和速度鼓吹入90~95%RH的空氣;雨季時,啟閉閥為常開;預埋管的制備方法為:取PP管,在PP管的側壁和底壁上開設多個通孔,在所有通孔的兩端處均焊接有防水透氣膜,具有減少爛根的優點。
技術領域
本發明涉及一種玉蘭的栽培方法。
背景技術
玉蘭(學名Magnolia denudata Desr)為木蘭科木蘭屬植物,別名為白玉蘭,原產于中國長江流域,廬山、黃山、峨眉山等處有野生,現北京及黃河流域以南都有栽培。玉蘭花對有害氣體的抗性較強,對二氧化硫和氯氣具有一定的抗性和吸硫的能力,因此,玉蘭時大氣污染地區很好的防污染綠化品種。
申請公布號為CN104365425A、申請公布日為2015年2月25日的中國專利公開了一種玉蘭樹的栽培方法,其包括采種、沙藏催芽、起苗、移栽、做支撐、施肥并灌溉的步驟。玉蘭的生長對濕度有一定要求,采用現有技術的方法栽培經常出現爛根的情況。
發明內容
本發明的目的是提供一種玉蘭的栽培方法,具有減少爛根的優點。
本發明的上述技術目的是通過以下技術方案得以實現的:
一種玉蘭的栽培方法,包括以下步驟:
(A)苗圃鋪建
以華北平原的蒙金土作為栽培基質,按4.5~5.0m×4.5~5.0m的規格劃分界限,在所有界限處預埋預埋管,預埋管的預埋深度為60~65cm;不同預埋管之間連通設置且所有管口除入口和出口外均封閉處理,入口和出口處均設置有啟閉閥且入口和出口裸露在栽培基質外;
選用的華北平原的蒙金土中全氮含量為0.42~0.44g/kg,全磷含量為0.33~0.34g/kg,水解氮含量為52.5~53.0mg/kg,速效鉀含量為44.5~45.5mg/kg,有效磷含量為1.52~1.55mg/kg,有機質含量為6.75~6.80g/kg,壤土pH為5.8~5.9;
(B)苗木移栽
早春移栽,選擇苗齡1.0~1.5年、株高為1.15~1.20m的植株作為樹苗,在栽培基質的每個4.5~5.0m×4.5~5.0m規格的中心挖穴,挖穴深度為40~42cm,每穴栽樹苗一株;
(C)栽培管理
每年施肥4次,即花前施用一次氮、磷、鉀復合肥,花后施用一次氮肥,7或8月施用一次磷、鉀復合肥,入冬前施用一次腐熟發酵的圈肥;
在生長季節除雨季外,每4~5天開啟預埋管的入口和出口上的啟閉閥,向其內鼓吹入相對濕度為90~95%RH的空氣,鼓吹風速為0.10~0.12m/s且鼓吹時間為1.5~1.8hr;雨季時,預埋管的入口和出口上的啟閉閥處于常開狀態;
預埋管的制備方法為:取PP管,在PP管的側壁和底壁上開設多個通孔,在所有通孔的兩端處均焊接有防水透氣膜。
選用的土壤上層透氣下層富含營養物質,是理想的培養基質,通過在其深層添加預埋管來控制基質底層的濕度,起到透氣控濕作用,減少爛根的情況,大大的提高存活率。
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