[發(fā)明專利]高純免噴涂坩堝的生產(chǎn)工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810278215.8 | 申請日： | 2018-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN108585535B | 公開（公告）日： | 2021-03-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鐘偉;陸文研 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫舜陽新能源科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/00 | 分類號： | C03C17/00;C09D1/00 |
| 代理公司： | 北京中創(chuàng)博騰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11636 | 代理人： | 張春合 |
| 地址： | 214400 江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高純 噴涂 坩堝 生產(chǎn)工藝 | ||
1.高純免噴涂坩堝的生產(chǎn)工藝，其特征在于，包括以下步驟：
Ⅰ、配置氮化硅漿料，將氮化硅漿料刷涂在普通石英坩堝的內(nèi)表面；
Ⅱ、將刷涂后的坩堝置于130～200℃下烘干制得內(nèi)表面具有氮化硅涂層的高純免噴涂坩堝；
其中，按重量百分比計(jì)，氮化硅漿料組成包括：30～44%的α相含量≥90%的氮化硅粉、15～22%的硅溶膠和41～48%的去離子水；氮化硅漿料還包括鉑催化劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純免噴涂坩堝的生產(chǎn)工藝，其特征在于，硅溶膠的固含量為15～35%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的純免噴涂坩堝的生產(chǎn)工藝，其特征在于，氮化硅漿料中鉑的重量百分比為0.001～0.1%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的純免噴涂坩堝的生產(chǎn)工藝，其特征在于，鉑催化劑的載體為熔點(diǎn)和/或分解溫度不小于1600℃的金屬氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的純免噴涂坩堝的生產(chǎn)工藝，其特征在于，金屬氧化物為三氧化二鋁或者氧化鋯。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的純免噴涂坩堝的生產(chǎn)工藝，其特征在于，氮化硅涂層的厚度為20～50微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的純免噴涂坩堝的生產(chǎn)工藝，其特征在于，氮化硅粉主要由100～150目的氮化硅粉A和200目以上的氮化硅粉B混合而成，氮化硅粉中氮化硅粉A的重量百分比為60～80%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的純免噴涂坩堝的生產(chǎn)工藝，其特征在于，氮化硅漿料還包括0.1～3%的氮氧化硅微粉。
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