[發明專利]用于中子捕獲治療的射束整形體

有效

• 申請號: 201810275965.X
• 申請日: 2015-09-30
• 公開（公告）號: CN108355257B
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 劉淵豪;陳韋霖
• 申請（專利權）人: 南京中硼聯康醫療科技有限公司
• 主分類號: A61N5/10
• 分類號: A61N5/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于中子捕獲治療的射束整形體，其特征在于：所述射束整形體包括射束入口、靶材、鄰接于靶材的緩速體、包圍在所述緩速體外的反射體及射束出口，質子束自射束入口入射與靶材發生核反應以產生中子，中子形成中子射束，中子經過緩速體減速，反射體將散射的中子反射回射束軸上再從射束出口射出，所述緩速體可以更換以調整緩速體對中子的緩速能力，所述緩速體包括位于靶材后方的基底部和位于基底部后方并與基底部分體設置的擴充部，根據需要達到的中子射束品質更換不同材料的擴充部，所述擴充部至少包括第一擴充部和第二擴充部，所述第一擴充部和第二擴充部分別可單獨更換，所述基底部、第一擴充部和所述第二擴充部的材料皆可由Al、Pb、Ti、Bi、C、D₂O、AlF₃、Fluental^TM、CaF₂、Li₂CO₃、MgF₂和Al₂O₃中的任意一種或幾種制成。

2.根據權利要求1所述的用于中子捕獲治療的射束整形體，其特征在于：所述擴充部能夠單獨更換而不改變射束整形體的總體尺寸。

3.根據權利要求1所述的用于中子捕獲治療的射束整形體，其特征在于：所述第一擴充部安裝于基底部后方并鄰接于基底部，第二擴充部安裝于第一擴充部后方并鄰接于第一擴充部。

4.根據權利要求1所述的用于中子捕獲治療的射束整形體，其特征在于：根據需要達到的中子射束品質更換不同材料的第一擴充部和/或第二擴充部。

5.根據權利要求1所述的用于中子捕獲治療的射束整形體，其特征在于：所述基底部鄰接于靶材后方并與靶材固定，所述擴充部安裝于基底部的后方并鄰接于基底部。

6.根據權利要求4所述的用于中子捕獲治療的射束整形體，其特征在于：反射體還包括設于擴充部外側或者外周的補充反射體，所述補充反射體和包圍在基底部外的反射體共同對散射的中子進行反射。

7.根據權利要求6所述的用于中子捕獲治療的射束整形體，其特征在于：所述反射體對應擴充部開設有延伸至基底部后方的導槽，所述導槽設置有滑軌，所述擴充部安裝于導槽中后通過滑軌移動至基底部后方并鄰接于基底部；所述導槽至少包括與第一擴充部相對應的第一導槽和與第二擴充部相對于的第二導槽；當所述第一擴充部和第二擴充部的結構尺寸相同僅材料不同時，第一擴充部和第二擴充部分別可以安裝在第一導槽或者第二導槽中；當第一擴充部和第二擴充部的結構尺寸不同且材料也不同時，所述第一擴充部安裝于第一導槽中，所述第二擴充部安裝于第二導槽中，補充反射體安裝于所述導槽中，當擴充部通過滑軌安裝于基底部的后方時，補充反射體包圍在擴充部外側，并與包圍在基底部外周的反射體共同對散射的中子進行反射。

8.根據權利要求6所述的用于中子捕獲治療的射束整形體，其特征在于：所述反射體設有旋轉軸，所述旋轉軸上設有位于基底部后方且可相對基底部轉動的轉盤，所述擴充部安裝于轉盤中后隨轉盤旋轉運動至基底部后方并鄰接于基底部；所述轉盤至少包括與第一擴充部相對應的第一轉盤和與第二擴充部相對應的第二轉盤；當所述第一擴充部和第二擴充部的結構尺寸相同僅材料不同時，第一擴充部和第二擴充部分別可以安裝在第一轉盤或者第二轉盤中；當第一擴充部和第二擴充部的結構尺寸不同且材料也不同時，所述第一擴充部安裝于第一轉盤中，所述第二擴充部安裝于第二轉盤中，所述補充反射體安裝于擴充部外周的轉盤中，當擴充部繞旋轉軸旋轉安裝于基底部后方時，補充反射體包圍在擴充部外周，并與包圍在基底部外周的反射體共同對散射的中子進行反射。

9.根據權利要求6所述的用于中子捕獲治療的射束整形體，其特征在于：所述反射體是由Pb或Ni中的至少一種制成，所述補充反射體的材料和反射體的材料相同。