[發(fā)明專利]一種高溫靜電卡盤及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810275868.0
• 申請日: 2018-03-30
• 公開（公告）號: CN110323149B
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王迪平;孫雪平;彭立波;張賽
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第四十八研究所
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙) 43008
• 代理人: 周長清;徐好

1.一種高溫靜電卡盤，其特征在于：包括基座(1)，所述基座(1)上方依次設(shè)有上過渡層(2)、吸附電極層(3)和上絕緣層(4)，所述基座(1)下方依次設(shè)有下過渡層(5)、加熱電極層(6)和下絕緣層(7)，所述吸附電極層(3)包括雙吸附電極，吸附晶片時雙吸附電極分別通以幅度相同、極性相反且相位相差180°的直流脈沖電壓，釋放晶片時雙吸附電極的正負極性互換，所述加熱電極層(6)包括至少兩個加熱區(qū)，各加熱區(qū)的圓心重合并均勻布置，各加熱區(qū)的加熱功率獨立控制，所述雙吸附電極包括第一吸附電極(I)和第二吸附電極(II)，所述第一吸附電極(I)包括U型部(31)以及兩個C型部(32)，兩個所述C型部(32)分設(shè)于所述U型部(31)的兩側(cè)且開口相對布置，其中一個所述C型部(32)與所述U型部(31)一側(cè)的上端相連，另一個所述C型部(32)與所述U型部(31)另一側(cè)的下端相連，所述第二吸附電極(II)與所述第一吸附電極(I)嵌套配合以形成圓形的吸附電極層(3)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫靜電卡盤，其特征在于：所述加熱電極層(6)相鄰兩圈的繞制方向相反。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高溫靜電卡盤，其特征在于：所述加熱電極層(6)包括三個加熱區(qū)，內(nèi)側(cè)的加熱區(qū)面積占總面積的35-45％，中間的加熱區(qū)面積占總面積的33-40％，外側(cè)的加熱區(qū)面積占總面積的20-26％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫靜電卡盤，其特征在于：所述第一吸附電極(I)和所述第二吸附電極(II)上均設(shè)置有引線孔(33)，所述第一吸附電極(I)和所述第二吸附電極(II)之間的間隙內(nèi)布置有接地針孔(34)、至少三個頂架孔(35)以及多個氣孔(36)，所述頂架孔(35)內(nèi)裝配有用來裝卸晶片的頂針，所述接地針孔(34)內(nèi)裝配有接地針，多個氣孔(36)沿圓周方向均勻布置，所述第一吸附電極(I)和所述第二吸附電極(II)上與所述接地針孔(34)對應(yīng)處均設(shè)有圓弧缺口(37)，所述第一吸附電極(I)和所述第二吸附電極上與頂架孔(35)對應(yīng)處均設(shè)有圓弧缺口(37)，所述第一吸附電極(I)或所述第二吸附電極(II)上與所述氣孔(36)對應(yīng)處設(shè)有圓弧缺口(37)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的高溫靜電卡盤，其特征在于：所述基座(1)為陶瓷基座或石英基座，所述上過渡層(2)和所述下過渡層(5)均為鈦膜層，所述吸附電極層(3)為氧化錫銦膜層或銅膜層，所述上絕緣層(4)為氧化硅膜層，所述加熱電極層(6)為鎢膜層，所述下絕緣層(7)為氧化鋁膜層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高溫靜電卡盤，其特征在于：所述基座(1)的厚度為3.5-4.5mm，所述上過渡層(2)和所述下過渡層(5)的厚度為18-22nm，所述吸附電極層(3)的厚度為9-11um，所述上絕緣層(4)的厚度為18-22um，所述加熱電極層(6)的厚度為9-11um，所述下絕緣層(7)的厚度為26-33um。

7.一種權(quán)利要求1至6中任一項所述的高溫靜電卡盤的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1、采用磁控鍍膜在基座(1)的上、下表面分別沉積上過渡層(2)和下過渡層(5)，并利用掩膜技術(shù)遮擋不需要鍍膜的區(qū)域；

S2、采用磁控鍍膜在下過渡層(5)下表面沉積加熱電極層(6)，并利用掩膜技術(shù)遮擋不需要鍍膜的區(qū)域，加熱電極的終端引線采用沉積過孔引出至下絕緣層(7)下方；

S3、采用氣相沉積法在加熱電極層(6)下表面沉積下絕緣層(7)；

S4、采用磁控鍍膜在上過渡層(2)上表面沉積吸附電極層(3)，并利用掩膜技術(shù)遮擋不需要鍍膜的區(qū)域；或采用電鍍法在上過渡層(2)上表面形成吸附電極層(3)；

S5、采用氣相沉積法在吸附電極層(3)上表面沉積上絕緣層(4)。