[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201810275599.8
• 申請日: 2018-03-30
• 公開（公告）號: CN109346469B
• 公開（公告）日: 2022-11-29
• 發明（設計）人: 樸海贊;金在澤
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種半導體器件，該半導體器件包括：

設置在基板上的層疊結構，該層疊結構包括犧牲層和絕緣層交替地層疊的第一區域以及導電層和絕緣層交替地層疊的第二區域；

設置在所述第一區域與所述第二區域之間的邊界處的第一狹縫絕緣層，該第一狹縫絕緣層穿透所述層疊結構并在一個方向上延伸；以及

設置在所述第二區域中的多個狹縫絕緣圖案，所述多個狹縫絕緣圖案穿透所述層疊結構并沿著所述一個方向布置，

其中，所述導電層當中的至少一個導電層在所述第一狹縫絕緣層與所述狹縫絕緣圖案之間彎曲。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述導電層當中的第一導電層在所述第一狹縫絕緣層與所述狹縫絕緣圖案之間向上彎曲，并且所述導電層當中的第二導電層被設置在比所述第一導電層的水平高的水平處并在所述第一狹縫絕緣層與所述狹縫絕緣圖案之間向下彎曲。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，該半導體器件還包括設置在所述第二區域中的第二狹縫絕緣層，該第二狹縫絕緣層穿透所述層疊結構并在所述一個方向上延伸，

其中，所述狹縫絕緣圖案被設置在所述第一狹縫絕緣層與所述第二狹縫絕緣層之間。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述至少一個導電層在所述第二狹縫絕緣層與所述狹縫絕緣圖案之間平行于所述基板，并且所述至少一個導電層在所述第一狹縫絕緣層與所述狹縫絕緣圖案之間相對于所述基板以預定角度彎曲。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第一狹縫絕緣層與所述狹縫絕緣圖案之間的距離大于各個所述狹縫絕緣圖案的寬度，并且各個所述狹縫絕緣圖案的寬度大于所述狹縫絕緣圖案與所述第二狹縫絕緣層之間的距離。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述至少一個導電層由于所述狹縫絕緣圖案與所述第一狹縫絕緣層之間的高度差而部分地彎曲。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，相鄰的狹縫絕緣圖案之間在所述一個方向上的距離等于或大于各個所述狹縫絕緣圖案的長度。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一區域和所述第二區域通過所述第一狹縫絕緣層彼此隔離。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一狹縫絕緣層具有閉合曲線形狀的橫截面，并且所述第一區域被設置在具有所述閉合曲線形狀的所述第一狹縫絕緣層中。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，該半導體器件還包括：

設置在所述基板與所述層疊結構之間的線；以及

穿透所述層疊結構的所述第一區域的互連器，該互連器連接到所述線。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，該半導體器件還包括：

設置在所述第二區域中的第二狹縫絕緣層，該第二狹縫絕緣層穿透所述層疊結構并在所述一個方向上延伸；以及

設置在所述第二區域中的第三狹縫絕緣層，該第三狹縫絕緣層穿透所述層疊結構并在所述一個方向上延伸，

其中，所述狹縫絕緣圖案被設置在所述第一狹縫絕緣層與所述第二狹縫絕緣層之間，并且所述第二狹縫絕緣層被設置在所述狹縫絕緣圖案與所述第三狹縫絕緣層之間。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述至少一個導電層在所述第二狹縫絕緣層與所述狹縫絕緣圖案之間以及在所述第三狹縫絕緣層與所述第二狹縫絕緣層之間平行于所述基板，并且所述至少一個導電層在所述第一狹縫絕緣層與所述狹縫絕緣圖案之間相對于所述基板以預定角度彎曲。