[發明專利]一種Cd摻雜ZnO納米棒傳感器的制備法在審
| 申請號： | 201810274600.5 | 申請日： | 2018-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN108318545A | 公開（公告）日： | 2018-07-24 |
| 發明（設計）人： | 葉小亮 | 申請（專利權）人： | 上海電機學院 |
| 主分類號： | G01N27/12 | 分類號： | G01N27/12;G01N27/04;C01G9/02 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若瑩 |
| 地址： | 201100 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 傳感器 微米材料 乙酸鋅 乙酸鎘 制備 摻雜 預處理 烘箱 混合溶液中 導電玻璃 環境友好 攪拌條件 強堿試劑 溶液沉積 用水浴法 磁力 電極 金屬叉 襯底 放入 水中 離子 清潔 生長 | ||
1.一種Cd摻雜ZnO納米棒傳感器的制備法，其特征在于，包括以下步驟：將乙酸鋅和乙酸鎘混合溶入去離子水中，在磁力熱攪拌條件下，將NaOH溶液或其他強堿試劑逐滴加入到乙酸鋅和乙酸鎘的的混合溶液中，隨后將進行清潔以及預處理后的導電玻璃襯底傾斜放入攪拌好的溶液中，使用水浴法操作，生長完成后形成ZnCdO微米材料溶液，取ZnCdO微米材料溶液沉積在傳感器的金屬叉指電極上，最后放于烘箱中進行干燥。
2.如權利要求1所述的一種Cd摻雜ZnO納米棒傳感器的制備法，其特征在于，所述的傳感器的制作步驟如下：對硅片進行清潔和預處理，依次涂光刻掩膜層、甩膠、光刻形成掩膜板，將掩膜板進行曝光、顯影、濺射，形成金屬叉指電極，再將金屬叉指電極切割并粘附于金屬底座上，通過壓焊機焊接鋁線并連接引腳。
3.如權利要求1所述的一種Cd摻雜ZnO納米棒傳感器的制備法，其特征在于，所述的混合溶液中Cd2+與Zn2+的摩爾比為1∶8～1∶10。
4.如權利要求1所述的一種Cd摻雜ZnO納米棒傳感器的制備法，其特征在于，所述的NaOH溶液或其他強堿試劑的濃度為0.075M～0.1M。
5.如權利要求1所述的一種Cd摻雜ZnO納米棒傳感器的制備法，其特征在于，所述的磁力熱攪拌的溫度為60℃～70℃。
6.如權利要求1所述的一種Cd摻雜ZnO納米棒傳感器的制備法，其特征在于，所述的水浴法的水浴溫度為90℃～95℃。
7.如權利要求1所述的一種Cd摻雜ZnO納米棒傳感器的制備法，其特征在于，所述的傳感器上沉積的ZnCdO的厚度為0.5mm～1mm。
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