[發明專利]一種CCGA器件植柱裝置和方法

在審

• 申請號: 201810273400.8
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN108461409A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 劉俊永
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十三研究所
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 合肥天明專利事務所(普通合伙) 34115
• 代理人: 金凱

1.一種CCGA器件植柱裝置，其特征在于，包括上模板和下模板，所述下模板上端面開設用于容納待植柱器件和上模板的定位凹腔，所述上模板上端面至下端面貫穿開設多個定位孔，該多個定位孔與所述待植柱器件表面的待植柱焊盤一一對應，所述待植柱器件放置在所述上模板和所述下模板之間。

2.如權利要求1所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，在所述待植柱器件陶瓷基板表面不平整時，所述上模板還貫穿開設有用于容納該不平整部分的空腔。

3.如權利要求1所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，所述定位凹腔的深度小于所述下模板的高度，所述定位凹腔包括用于容納所述上模板的上定位凹腔和用于容納所述待植柱器件的下定位凹腔，所述上定位凹腔位于所述下定位凹腔上方且上定位凹腔與下定位凹腔組成倒“凸”型。

4.如權利要求3所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，所述下模板下端面開設通孔，該通孔與所述下定位凹腔腔體相通且通孔的尺寸小于下定位凹腔腔體的尺寸。

5.如權利要求3所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，所述上定位凹腔和所述下定位凹腔的腔角均為圓形倒角。

6.如權利要求1所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，所述定位孔的直徑大于放入定位孔中的焊錫球或焊錫柱的直徑，定位孔的高度小于插入定位孔中的焊錫柱的高度。

7.如權利要求3所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，所述下定位凹腔的高度大于待植柱器件底面到待植柱焊盤表面的高度。

8.如權利要求6所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，所述焊錫柱上端放置壓塊。

9.如權利要求1-8任一項所述的CCGA器件植柱裝置，其特征在于，所述上模板和所述下模板均采用熱膨脹系數與陶瓷基板相差不超過6ppm/℃的石墨或KOVAR合金材料制備。

10.一種CCGA器件植柱方法，使用如權利要求1-8任一項所述CCGA器件植柱裝置，其特征在于：

步驟一、在所述待植柱器件陶瓷基板的待植柱焊盤表面涂布助焊劑；

步驟二、將待植柱焊盤面向上的待植柱器件放入所述下模板的下定位凹腔內，將所述上模板放入所述上定位凹腔內，所述上模板上的定位孔與待植柱焊盤一一對應；

步驟三、在所述上模板的定位孔中一一放入一個直徑小于該定位孔直徑的焊錫球；

步驟四、將整個裝置放置在回流焊爐中，利用回流曲線對該裝置加熱，使得焊錫球充分熔化并平鋪在待植柱焊盤表面，形成焊錫膜；

步驟五、將整個裝置從回流焊爐中取出并冷卻至室溫后，將待植柱器件從所述上模板和下模板之間取出，在所述焊錫膜表面涂布助焊劑，然后重復執行步驟二；

步驟六、在所述上模板的定位孔中一一插入一個直徑小于該定位孔直徑的焊錫柱，并在焊錫柱上端放置壓塊；

步驟七、將整個裝置放置在回流焊爐中，利用回流曲線對該裝置進行加熱，使得焊錫膜充分回流并將焊錫柱焊接在待植柱焊盤上；

步驟八、將整個裝置從回流焊爐中取出，冷卻至室溫后，將器件從所述上模板和下模板之間取出，完成CCGA器件的植柱。