[發(fā)明專利]一種在非晶態(tài)SiO2 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810273060.9 | 申請日： | 2018-03-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108428621B | 公開（公告）日： | 2020-05-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李天保;劉晨陽;張哲;于斌;賈偉;余春燕;董海亮;賈志剛;許并社 | 申請（專利權(quán)）人： | 太原理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L21/02 | 分類號(hào)： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 太原晉科知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 任林芳 |
| 地址： | 030024 *** | 國省代碼： | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 晶態(tài) sio base sub | ||
1.一種在非晶態(tài)SiO2 襯底上生長GaN薄膜的方法，其特征在于：利用非晶態(tài)SiO2材料作為襯底，采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法即MOCVD法生長GaN薄膜，依次生長AlGaN形核層，GaN外延層；
具體步驟如下：
（1）襯底氮化處理：將非晶態(tài)SiO2 襯底置于金屬有機(jī)氣相沉積MOCVD反應(yīng)室中，在氫氣氣氛下，1200-1300℃溫度下清潔襯底10-20min，然后降溫至650-750℃，用流量為1000-1200 sccm的氨氣氮化處理5-15min，控制反應(yīng)室的壓力為100-200mbar；
（2）制備AlGaN形核層：氮化處理后，700-800℃下，在氨氣流量為1200-1700sccm的環(huán)境中，V/Ⅲ比為720-820，向反應(yīng)室中通入流量50-70μmol/min的鎵源和流量10-20μmol/min的鋁源，反應(yīng)時(shí)間為35-45s, 控制反應(yīng)室的壓力為100-200mbar下生長厚度為10-20nm的AlGaN形核層；其中AlGaN形核層中Ⅲ族元素鋁占10%-20%，鎵占80%-90%；
（3）退火處理：將AlGaN形核層升溫至1150-1250℃，氨氣流量為500-1000sccm,退火時(shí)間為2-10min的工藝條件高溫退火，經(jīng)過退火處理后降溫至1100-1200℃，在壓力為100-150mbar，V/Ⅲ比為300-400，氨氣流量為1000-1900sccm，鎵源流量為149-213μmol/min的工藝條件下進(jìn)行GaN的外延生長。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在非晶態(tài)SiO2 襯底上生長GaN薄膜的方法，其特征在于：所制備GaN外延層的厚度為1300-1400nm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于太原理工大學(xué)，未經(jīng)太原理工大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810273060.9/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
- SiO蒸鍍材料、SiO原料用Si粉末及SiO的制造方法
- 含銀核殼結(jié)構(gòu)智能殺菌劑
- 一種用于SiO<sub>2r</sub>/SiO<sub>2</sub>復(fù)合陶瓷與金屬材料釬焊的工藝方法
- 一種SiO<sub>2</sub>減反射薄膜及其制備方法
- CVD SiC/SiO<sub>2</sub>梯度抗氧化復(fù)合涂層及其制備方法
- 一種用于SiO<sub>2</sub>陶瓷及SiO<sub>2</sub>陶瓷基復(fù)合材料連接的釬料及其制備方法
- 可固化組合物及其制法
- Ag/SiO
- 一種富硅SiOx-C材料及其制備方法和應(yīng)用
- 疏水型SiO<base:Sub>2f
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復(fù)相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復(fù)合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復(fù)合材料的制備方法
