[發(fā)明專利]一種有機發(fā)光二極管顯示器件及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810273001.1 | 申請日: | 2018-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN108539040A | 公開(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙子瑞;張向偉;王曉禹 | 申請(專利權(quán))人: | 霸州市云谷電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京布瑞知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
| 地址: | 065000 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機發(fā)光二極管顯示器件 薄膜封裝層 顯示裝置 無機層 顯示層 金屬摻雜 水分子 氧分子 穿過 覆蓋 | ||
1.一種有機發(fā)光二極管顯示器件,其特征在于,包括:
顯示層;和
覆蓋所述顯示層的薄膜封裝層,其中所述薄膜封裝層包括至少一個無機層,所述至少一個無機層包括金屬摻雜區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器件,其特征在于,所述顯示層包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域,所述顯示區(qū)域包括子像素區(qū)域和除所述子像素區(qū)域之外的間隔區(qū)域;所述金屬摻雜區(qū)在所述顯示層上的正投影位于所述非顯示區(qū)域和/或所述間隔區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光二極管顯示器件,其特征在于,所述至少一個無機層包括第一無機層,所述第一無機層設(shè)置在所述顯示層上,所述金屬摻雜區(qū)包圍所述非顯示區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光二極管顯示器件,其特征在于,所述至少一個無機層還包括至少一個第二無機層,所述薄膜封裝層還包括至少一個有機層,所述至少一個有機層與所述至少一個第二無機層交替疊置在所述第一無機層上,所述第二無機層設(shè)置在所述有機層上,其中所述至少一個第二無機層中的金屬摻雜區(qū)分別包圍所述至少一個有機層的邊緣。
5.如權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光二極管顯示器件,其特征在于,所述金屬摻雜區(qū)中與所述間隔區(qū)域?qū)牟糠职ǘ鄠€摻雜子區(qū),所述多個摻雜子區(qū)均勻分布在所述無機層中,所述多個摻雜子區(qū)的形狀包括圓形、矩形、L形中的一種或多種。
6.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器件,其特征在于,所述顯示層包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域,所述金屬摻雜區(qū)在所述顯示層上的正投影位于所述非顯示區(qū)域和所述顯示區(qū)域,其中所述金屬摻雜區(qū)中與所述顯示區(qū)域?qū)牟糠值慕饘俸啃∮陬A設(shè)值。
7.如權(quán)利要求1-6中任一所述的有機發(fā)光二極管顯示器件,其特征在于,所述金屬摻雜區(qū)的金屬包括鋁。
8.如權(quán)利要求1-6中任一所述的有機發(fā)光二極管顯示器件,其特征在于,所述顯示層包括金屬電極層,所述金屬電極層和所述金屬摻雜區(qū)接觸,所述金屬電極層的金屬的活性低于所述金屬摻雜區(qū)的金屬的活性。
9.如權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光二極管顯示器件,其特征在于,所述金屬摻雜區(qū)的金屬包括鋁,所述金屬電極層的金屬包括鋁合金。
10.一種有機發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,包括:權(quán)利要求1-9中任一所述的有機發(fā)光二極管顯示器件和驅(qū)動電路。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





