[發明專利]一種鈮酸鋰電光調制器芯片在審
| 申請號： | 201810272816.8 | 申請日： | 2018-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN108663827A | 公開（公告）日： | 2018-10-16 |
| 發明（設計）人： | 周建偉;夏君磊;鄭國康;劉瑞丹;喬建坤;寧智超;徐玉亮 | 申請（專利權）人： | 北京航天時代光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/03 | 分類號： | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人： | 張麗娜 |
| 地址： | 100094*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鈮酸鋰電光調制器 直流偏置電極 二氧化硅層 直流漂移 芯片 調制器 鈮酸鋰晶體 高頻性能 速度匹配 行波電極 影響光波 直接制備 去除 微波 保留 保證 | ||
【權利要求書】：
1.一種鈮酸鋰電光調制器芯片，其特征在于：該芯片包括鈮酸鋰襯底(1)、波導(2)、行波電極(3)、直流偏置電極(4)和二氧化硅緩沖層(5)；
所述的鈮酸鋰襯底(1)的上表面生長有一層二氧化硅緩沖層(5)；
所述的波導(2)位于鈮酸鋰襯底(1)上表面的內部；
所述的行波電極(3)位于二氧化硅緩沖層(5)的上表面；
所述的波導(2)位于行波電極(3)之間；
所述的行波電極(3)右側的二氧化硅緩沖層(5)上開有窗口(6)，在窗口(6)的位置處、鈮酸鋰襯底(1)的上表面加工直流偏置電極(4)。
2.根據權利要求1所述的一種鈮酸鋰電光調制器芯片，其特征在于：所述的波導(2)為馬赫-澤德干涉光路，位于鈮酸鋰襯底(1)上表面的內部。
3.根據權利要求2所述的一種鈮酸鋰電光調制器芯片，其特征在于：所述的波導(2)馬赫-澤德干涉光路的兩臂位于行波電極(3)之間。
4.根據權利要求1所述的一種鈮酸鋰電光調制器芯片，其特征在于：所述的行波電極(3)為共面波導結構。
5.根據權利要求4所述的一種鈮酸鋰電光調制器芯片，其特征在于：所述的行波電極(3)由3個金屬條構成，中心的金屬條為信號電極，兩側的金屬條為地電極。
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