[發明專利]一種發光二極管外延片及其制造方法在審
| 申請號： | 201810272757.4 | 申請日： | 2018-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN108470808A | 公開（公告）日： | 2018-08-31 |
| 發明（設計）人： | 從穎;姚振;蔣曉旭;胡加輝;李鵬 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 子層 氮化鎵層 銦鎵氮層 發光二極管外延 空穴 電子阻擋層 鋁鎵氮層 依次層疊 襯底 源層 摻雜 半導體技術領域 發光二極管 發光效率 晶格失配 空穴復合 有效緩解 摻雜的 緩沖層 外延片 制造 發光 阻擋 生長 概率 | ||
1.一種發光二極管外延片，所述發光二極管外延片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、N型半導體層、有源層、電子阻擋層和P型半導體層，其特征在于，所述電子阻擋層包括依次層疊的第一子層、第二子層和第三子層，所述第一子層為摻雜鋁的氮化鎵層，所述第二子層為沒有摻雜的氮化鎵層，所述第三子層為摻雜銦的氮化鎵層。
2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述有源層包括交替層疊的多個量子阱和多個量子壘，每個所述量子阱為銦鎵氮層；所述第三子層中銦的摻雜濃度小于每個所述量子阱中銦的摻雜濃度。
3.根據權利要求1或2所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述第二子層的厚度小于所述第一子層的厚度。
4.根據權利要求1或2所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述第三子層的厚度小于所述第一子層的厚度。
5.根據權利要求1或2所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述第一子層中鋁的摻雜濃度為5*1020/cm3～2.5*1021/cm3。
6.一種發光二極管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次生長緩沖層、N型半導體層、有源層、電子阻擋層和P型半導體層；
其中，所述電子阻擋層包括依次層疊的第一子層、第二子層和第三子層，所述第一子層為摻雜鋁的氮化鎵層，所述第二子層為沒有摻雜的氮化鎵層，所述第三子層為摻雜銦的氮化鎵層。
7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第二子層的生長溫度比所述第一子層的生長溫度高。
8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第三子層的生長溫度比所述第二子層的生長溫度低。
9.根據權利要求6～8任一項所述的制造方法，其特征在于，所述第一子層的生長壓力、所述第二子層的生長壓力、以及所述第三子層的生長壓力相等。
10.根據權利要求6～8任一項所述的制造方法，其特征在于，所述第一子層的生長速率、所述第二子層的生長速率、以及所述第三子層的生長速率相等。
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