[發明專利]一種LED芯片

有效

• 申請號: 201810272287.1
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN108428774B
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發明（設計）人: 朱秀山
• 申請（專利權）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/44;H01L33/46
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本發明提供一種LED芯片，所述LED芯片包括發光二極管、反射層、阻擋層和絕緣層，所述發光二極管位于襯底上，所述反射層位于所述發光二極管上，所述阻擋層位于所述反射層上，所述反射層和所述阻擋層在所述發光二極管上形成階梯形結構，所述絕緣層覆蓋所述發光二極管、所述反射層和所述阻擋層。在本發明提供的LED芯片中，通過將位于發光二極管上的反射層以及位于反射層上的阻擋層形成階梯形結構，使阻擋層的面積小于反射層的面積，再通過絕緣層進行覆蓋，從而可消除“黑帶”現象并能防止反射層中的金屬擴散或遷移到發光二極管區域造成漏電異常等，提高了LED芯片的性能。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，特別涉及一種LED芯片。

背景技術

在LED(Light Emitting Diode)芯片中通常會采用金屬的反射層，來提高光的反射率，但是反射層中的金屬在受熱和電流通過時會發生熱擴散和電遷移現象，所以在芯片制程里會使用防止金屬擴散的阻擋層(Barrier)完全包裹住金屬的反射層，從而防止反射層中金屬的熱擴散和電遷移造成不良影響，從而較佳的提升LED芯片的可靠性能。

但是，在現有技術中，如圖1所示，發光二極管1上的反射層2通常被阻擋層3包裹，采用阻擋層3完全包裹的方法存在一個比較嚴重的問題，由于阻擋層3的反射率較低，這樣使得阻擋層3包裹住反射層2的邊緣區域的反射率較低，從而形成俗稱“黑帶”的現象。雖然反射層2的面積和反射率的高低可以直接決定LED芯片的亮度，但是“黑帶”現象的發生會使得LED芯片發光時的亮度降低，于是降低了LED的性能。

因此，如何提高LED芯片的性能是本領域技術人員需要解決的一個技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種LED芯片，以解決現有技術中LED芯片的性能有待提高的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種LED芯片，所述LED芯片包括發光二極管、反射層、阻擋層和絕緣層，所述發光二極管位于襯底上，所述反射層位于所述發光二極管上，所述阻擋層位于所述反射層上，所述反射層和所述阻擋層在所述發光二極管上形成階梯形結構，所述絕緣層覆蓋所述發光二極管、所述反射層和所述阻擋層。

可選的，在所述LED芯片中，還包括覆蓋層，所述覆蓋層位于所述絕緣層上并在所述階梯形結構上方。

可選的，在所述LED芯片中，所述覆蓋層覆蓋所述反射層未覆蓋的區域。

可選的，在所述LED芯片中，所述覆蓋層的材料包括銀或鋁，所述覆蓋層的反射率大于80％。

可選的，在所述LED芯片中，所述絕緣層包括第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述發光二極管的側邊，所述第二絕緣層覆蓋所述第一絕緣層以及所述發光二極管、所述反射層和所述阻擋層。

可選的，在所述LED芯片中，所述絕緣層的材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或三氧化二鋁中的一種或多種的組合。

可選的，在所述LED芯片中，所述絕緣層的厚度大于所述絕緣層通過化學氣相沉積方式或原子層沉積方式形成。

可選的，在所述LED芯片中，還包括導電層，所述導電層位于發光二極管與反射層之間，所述導電層的材料包括氧化銦錫。

可選的，在所述LED芯片中，所述發光二極管包括依次分布的第一半導體層、多量子阱層和第二半導體層，所述第一半導體層位于所述襯底上，所述第一半導體層的材料為N型氮化鎵，所述第二半導體層的材料為P型氮化鎵。

可選的，在所述LED芯片中，握權這反射層的材料為銀或鋁。

可選的，在所述LED芯片中，所述阻擋層的材料包括鉻、金、鉑金、鈦和鎳中的一種或多種的組合。