[發明專利]功率開關的有源鉗位電壓應力抑制電路、方法及驅動電路有效
| 申請號: | 201810271920.5 | 申請日: | 2018-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN108471304B | 公開(公告)日: | 2020-05-26 |
| 發明(設計)人: | 徐濤濤;梅佳勝;朱鐵影 | 申請(專利權)人: | 蘇州匯川聯合動力系統有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/082 | 分類號: | H03K17/082;H03K17/567 |
| 代理公司: | 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217 | 代理人: | 陸軍 |
| 地址: | 215000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功率 開關 有源 電壓 應力 抑制 電路 方法 驅動 | ||
本發明公開了一種功率開關的有源鉗位電壓應力抑制電路、方法及驅動電路,所述功率開關的輸入端和控制端之間連接有有源鉗位電路,所述抑制電路包括:檢測模塊,用于檢測功率開關是否觸發有源鉗位;執行模塊,設置于所述功率開關的驅動路徑中,用于在所述檢測模塊檢測到有源鉗位被觸發時,切斷所述驅動路徑。本發明檢測功率開關是否觸發有源鉗位,在所述檢測模塊檢測到有源鉗位被觸發時,切斷所述功率開關的當前的驅動路徑,從而消除驅動路徑對有源鉗位注入功率開關的電流的旁路作用,提高有源鉗位電路的反向擊穿電流的利用率,從而提高有源鉗位的鉗位效果、減小有源鉗位電路中的TVS的熱損耗、減小驅動電路的熱損耗,提高有源鉗位電路的可靠性。
技術領域
本發明涉及電機控制領域,尤其涉及一種功率開關的有源鉗位電壓應力抑制電路、方法及驅動電路。
背景技術
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是常見的功率開關器件,經常被使用在高壓大電流的工況下。在IGBT關斷過程中,在回路雜散電感上產生的感生電動勢疊加在母線電壓上,使得IGBT的集電極和發射極之間產生較大電壓應力。有源鉗位技術通過TVS(TransientVoltage Suppressor,又稱為瞬態抑制二極管)檢測IGBT的集電極和發射極之間的電壓,當電壓超過TVS的擊穿電壓后,TVS被反向擊穿,產生的擊穿電流流向IGBT的門極,從而可以減緩IGBT門極電壓的下降速度,減慢IGBT的關斷速度,從而減小雜散電感上的感生電動勢,進而減小IGBT在關斷過程中的集電極與發射極之間的電壓應力。
有源鉗位方法對IGBT的關斷過程集電極與發射極之間的電壓應力有很好的抑制作用,但由于目前的有源鉗位方法是在IGBT門極關斷,電壓應力超過TVS的鉗位電壓,TVS被反向擊穿的時候通過TVS向門極注入電流,而IGBT關斷過程中驅動電路輸出低電平,從而導致TVS流向IGBT門極的電流被驅動電路旁路一部分,TVS注入門極電流的流失導致對門極電壓下降速度的抑制效果減弱,所以IGBT門極下降速度較快,如此,一方面導致IGBT集電極與發射極之間電壓應力增加,導致有源鉗位技術應力抑制效果減弱;另一方面IGBT集電極與發射極之間的集射極電壓應力的增加還會導致TVS的擊穿程度增加,擊穿電流增加,進而導致TVS的熱損耗增加,TVS溫升過大,同時還會導致TVS的嵌位電壓上偏。
參考圖1為現有技術中有源鉗位技術的原理框圖,在IGBT關斷過程中,集電極C與發射極E之間的電壓應力超過TVS的擊穿電壓時,TVS被反向擊穿。擊穿電流注入IGBT門極G,從而實現減緩IGBT關斷速度,實現鉗位關斷過程中的集電極C與發射極E之間電壓應力的目的。TVS反向擊穿電流注入門極為L1通路,注入到門極的電流通過驅動電路流失為L2通路。
以上可知,現有技術中由于驅動電路的旁路作用,TVS反向擊穿注入IGBT門極的電流被流失,極大程度上影響了有源鉗位的效果和TVS的使用壽命
發明內容
本發明要解決的技術問題在于,針對現有技術的上述由于驅動電路的旁路作用而導致的TVS反向擊穿注入IGBT門極的電流的流失問題,提供一種功率開關的有源鉗位電壓應力抑制電路、方法及驅動電路。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:構造一種功率開關的有源鉗位電壓應力抑制電路,所述功率開關的輸入端和控制端之間連接有有源鉗位電路,包括:
檢測模塊,用于檢測功率開關是否觸發有源鉗位;
執行模塊,設置于所述功率開關的驅動路徑中,用于在所述檢測模塊檢測到有源鉗位被觸發時,切斷所述驅動路徑。
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