[發明專利]一種觸摸顯示面板及其制造方法有效
| 申請號: | 201810271541.6 | 申請日: | 2018-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN108447875B | 公開(公告)日: | 2021-04-27 |
| 發明(設計)人: | 聶曉輝 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 觸摸 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
本發明公開了一種觸摸顯示面板及其制造方法。該觸摸顯示面板包括:基板;第一金屬層,包括設置于基板之上的觸控線和遮光塊;TFT功能層,位于第一金屬層之上,TFT功能層上設有第一過孔;公共電極層,位于TFT功能層之上,并與觸控線通過第一過孔連接。通過上述方式,本發明能夠降低制作成本,提高制程可靠性。
技術領域
本發明涉及顯示面板領域,特別是涉及一種觸摸顯示面板及其制造方法。
背景技術
LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低溫多晶硅技術)顯示面板的觸控類型常采用自感電容型,通過將sensor pad集成在陣列基板上實現 ITP(In Cell Touch Panel,內嵌式觸摸屏)提高產品的品質和價值。Sensor pad的結構一般包含Common ITO和觸控線走線。觸控線走線的制作可單獨設計光罩,即單獨設置觸控線走線;也可以采用數據線的光罩,即與數據線同層設置或同一工藝形成,使用相同的金屬同步制作的方式,但是兩種方案都有成本和制程風險增加的問題。
發明內容
本發明主要解決的技術問題是提供一種觸摸顯示面板及其制造方法,能夠降低制作成本,減小制程風險,提高制程可靠性。
為解決上述技術問題,本發明采用的一個技術方案是:提供一種觸摸顯示面板,包括:基板;第一金屬層,所述第一金屬層包括設置于所述基板之上的觸控線和遮光塊;TFT功能層,所述TFT功能層位于所述第一金屬層之上,所述TFT功能層上設有第一過孔;公共電極層,位于所述TFT功能層之上,并與所述觸控線通過第一過孔連接。
為解決上述技術問題,本發明采用的另一個技術方案是:提供一種一種制造觸摸顯示面板的方法,包括:在基板的一側設置第一金屬層,所述第一金屬層包括設置于所述基板之上的觸控線和遮光塊;在所述第一金屬層之上設置TFT功能層,所述TFT功能層上設有第一過孔;在所述TFT功能層之上設置公共電極層,所述公共電極層與所述觸控線通過第一過孔連接。
第一金屬層本發明的有益效果是:區別于現有技術的情況,本發明通過將觸控線與用于遮擋背光對半導體層的照射的遮光塊同層設置或同一工藝形成,使得公共電極層可以通過第一過孔與觸控線連接,以實現觸摸顯示面板的觸摸功能,這樣可以有效減少制造觸控線時的成本,且第一開孔是在公共電極層下方,制程風險小。
附圖說明
圖1是本發明提供的觸摸顯示面板的一實施例的截面示意圖;
圖2是本發明提供的觸摸顯示面板的一實施例的第一金屬層的俯視示意圖;
圖3是本發明提供的觸摸顯示面板的一實施例的第一金屬層與半導體層俯視示意圖;
圖4是本發明提供的觸摸顯示面板的制造方法的實施例的流程示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,均屬于本發明保護的范圍。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電技術有限公司,未經武漢華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810271541.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





