[發(fā)明專利]靜電卡盤及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810271475.2
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN108538776B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發(fā)明（設計）人: 葉華;史全宇;王厚工;鄭金果
• 申請（專利權）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京薈英捷創(chuàng)知識產權代理事務所(普通合伙) 11726
• 代理人: 陳亞英

1.一種制造靜電卡盤的方法，包括在電極外包裹介質層；在所述介質層上設置圖形化的掩膜；利用石墨靶材產生碳等離子體，并在所述掩膜上沉積無氫非晶碳層，所沉積無氫非晶碳層的工藝溫度不高于80攝氏度；以及移除所述掩膜，形成包含無氫非晶碳凸點的靜電卡盤，所述無氫非晶碳凸點的電阻率為10^-4-10⁹Ω·cm，以避免所述凸點發(fā)生氫解離并脫落；其中，在利用石墨靶材產生碳等離子體并在所述掩膜上沉積無氫非晶碳層包括以下步驟：通過電弧的作用使位于腔室的第一部分的石墨靶產生碳等離子體；通過腔室第二部分的過濾磁場，過濾碳等離子體中的宏觀粒子、原子團；通過位于腔室第三部分的聚焦磁場使過濾后的等離子到達掩膜和靜電卡盤基座。

2.如權利要求1所述的方法，還包括在形成所述無氫非晶碳層之前，在所述介質層上先沉積經所述掩膜圖形化的粘附層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述粘附層包括金屬鈦或鉻。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述無氫非晶碳凸點的高度為1-3μm。

5.一種根據權利要求1-4任一所述方法制造的靜電卡盤，包括：

電極，以及包覆在所述電極外的介質層；以及

設置在所述介質層上表面的多個彼此獨立的凸點；

其中所述凸點由具有10^-4-10⁹Ω·cm電阻率的無氫非晶碳構成。

6.如權利要求5所述的靜電卡盤，其中在所述凸點和所述介質層之間對應位置處設置有粘附層。

7.如權利要求5所述的靜電卡盤，其中所述凸點的高度為1-3μm。

8.如權利要求6所述的靜電卡盤，其中所述粘附層的材料為金屬，包括鈦或鉻。