[發明專利]雙大馬士革工藝方法

在審

• 申請號: 201810271394.2
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN108470714A
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 李鎮全;吳信德
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種雙大馬士革工藝方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、提供一半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有底層金屬層，所述底層金屬層之間隔離有底層介質膜；

步驟二、形成NDC層；

步驟三、在所述NDC層的表面依次形成第一層間膜和溝槽刻蝕停止層；

步驟四、進行第一次光刻工藝形成第一光刻膠圖形，所述第一光刻膠圖形定義出通孔的形成區域，以所述第一光刻膠圖形為掩膜對所述溝槽刻蝕停止層進行不刻穿所述溝槽刻蝕停止層的第一次刻蝕并形成位于所述溝槽刻蝕停止層中的第一凹槽；

步驟五、去除所述第一光刻膠圖形，在形成由所述第一凹槽的的所述溝槽刻蝕停止層表面形成第二層間膜；

步驟六、進行第二次光刻工藝形成第二光刻膠圖形，所述第二光刻膠圖形定義出所述頂層金屬層溝槽的形成區域，以所述第二光刻膠圖形為掩膜以及以所述溝槽刻蝕停止層為停止層對所述第二層間膜進行第二次刻蝕得到所述頂層金屬層溝槽；

步驟七、進行所述溝槽刻蝕停止層的刻蝕將所述第一凹槽的底部的所述溝槽刻蝕停止層的去除，接著對所述第一凹槽底部的所述第一層間膜和所述NDC層進行刻蝕形成露出所述底層金屬層表面的所述通孔，之后去除所述第二光刻膠圖形并形成由所述通孔和所述頂層金屬層溝槽疊加而成的雙大馬士革結構。

2.如權利要求1所述的雙大馬士革工藝方法，其特征在于：所述半導體襯底為硅襯底。

3.如權利要求1所述的雙大馬士革工藝方法，其特征在于：所述底層金屬層的材料為銅。

4.如權利要求1所述的雙大馬士革工藝方法，其特征在于：步驟四中在形成所述第一光刻膠圖形之前還包括在所述溝槽刻蝕停止層的表面形成DARC層的步驟；所述DARC層在所述第一光刻膠圖形去除之后去除。

5.如權利要求4所述的雙大馬士革工藝方法，其特征在于：所述DARC層的材料為SiON。

6.如權利要求1所述的雙大馬士革工藝方法，其特征在于：所述第一層間膜的材料為氧化膜。

7.如權利要求6所述的雙大馬士革工藝方法，其特征在于：所述第一層間膜采用PECVD工藝形成。

8.如權利要求1所述的雙大馬士革工藝方法，其特征在于：所述第二層間膜的材料為氧化膜。

9.如權利要求8所述的雙大馬士革工藝方法，其特征在于：所述第二層間膜采用PECVD工藝形成。

10.如權利要求1所述的雙大馬士革工藝方法，其特征在于：所述溝槽刻蝕停止層的材料為氮化硅。

11.如權利要求10所述的雙大馬士革工藝方法，其特征在于：所述溝槽刻蝕停止層的厚度為

12.如權利要求6所述的雙大馬士革工藝方法，其特征在于：所述第一層間膜的厚度為

13.如權利要求8所述的雙大馬士革工藝方法，其特征在于：所述第二層間膜的厚度為

14.如權利要求1所述的雙大馬士革工藝方法，其特征在于：所述NDC層的厚度為

15.如權利要求1所述的雙大馬士革工藝方法，其特征在于：步驟七之后還包括在所述雙大馬士革結構填充金屬同時形成所述通孔金屬和頂部金屬層，所述通孔金屬實現所述頂部金屬層和所述底部金屬層之間的連接。