[發明專利]預防圖案坍塌的后處理

在審

• 申請號: 201810271387.2
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN108711552A
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 米爾扎弗·阿巴查夫;傅乾;石川靖
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張華

1.一種用于在包括圖案化硬掩模的堆疊中蝕刻特征的方法，所述圖案化硬掩模在碳基掩模層上，所述碳基掩模層在蝕刻層上，所述方法包括：

將圖案從所述圖案化硬掩模轉移到所述碳基掩模層，其包括：

提供包含SO₂或COS中的至少一種和含氧組分的轉移氣體的流動；

將所述轉移氣體形成為等離子體；

提供大于10伏的偏置以將來自所述等離子體的離子加速到所述碳基掩模層，這將所述圖案轉移到所述碳基掩模層；和

停止所述轉移氣體的所述流動；以及

提供后處理，其包括：

提供包含He、Ar、N₂、H₂或NH₃中的至少一種的后處理氣體的流動，其中提供所述流動以維持介于50mTorr和500mTorr之間且包括50mTorr和500mTorr的處理壓強；

將所述后處理氣體形成為等離子體；

提供大于20伏的偏置以將來自所述等離子體的離子加速到所述碳基掩模層；和

停止所述后處理氣體的所述流動。

2.根據權利要求1所述的方法，其還包括穿過所述碳基掩模層蝕刻所述蝕刻層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述圖案化硬掩模是硅基材料。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述硅基材料是氮化硅、氮氧化硅、非晶硅或多晶硅中的至少一種。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述碳基掩模層包含無定形碳。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述轉移所述圖案形成含硫側壁鈍化。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述后處理步驟去除或改變所述含硫側壁鈍化。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述蝕刻層是氧化硅、氮化硅或氮化鎢中的至少一種。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述將所述圖案從所述圖案化硬掩模轉移到所述碳基掩模層形成所述碳基掩模中的掩模特征，其中所述掩模特征是線或二維陣列的柱。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述掩模特征具有大于2.5:1的高寬比。