[發(fā)明專利]射頻功率放大電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810271235.2 | 申請日： | 2018-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN108551333B | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐柏鳴;蘇強;彭振飛;奕江濤 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州慧智微電子有限公司 |
| 主分類號： | H03F1/56 | 分類號： | H03F1/56;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人： | 王軍紅;張穎玲 |
| 地址： | 510663 廣東省廣州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 射頻 功率 放大 電路 | ||
1.一種射頻功率放大電路，其特征在于，所述射頻功率放大電路，包括：電源控制單元、鉗位補償單元、偏置單元和功率放大單元；其中，
所述電源控制單元，用于向所述功率放大單元提供與所述射頻功率放大電路的工作模式相匹配的工作電壓；
所述鉗位補償單元，與所述電源控制單元和所述偏置單元分別連接，用于在所述工作模式為第一工作模式時，基于所述工作電壓，向所述偏置單元提供第一電信號；其中，所述鉗位補償單元包括：第一電感和第一晶體管；所述第一電感的第一端與所述電源控制單元連接，所述第一電感的第二端與所述第一晶體管連接；所述第一晶體管的第一端與所述第一電感連接，所述第一晶體管的第二端與所述功率放大單元連接；
所述偏置單元，與所述鉗位補償單元和所述功率放大單元分別連接，用于在所述第一工作模式時，向所述功率放大單元提供基于所述第一電信號形成的第一偏置電壓；
所述功率放大單元，用于在所述第一工作模式時，基于所述第一偏置電壓及所述工作電壓，放大所述功率放大單元的輸入信號，輸出相位得到補償?shù)妮敵鲂盘枴?/p>
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路還包括：電容補償單元；
所述電容補償單元，與所述功率放大單元連接，用于接收所述輸入信號，向所述輸入信號提供與所述工作模式相匹配的容抗；在所述工作模式為第二工作模式時，基于所述容抗向所述功率放大單元輸出相位延遲的輸入信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述電容補償單元，包括：第一電容、第二電容和第三電容；
所述第一電容的一端與所述功率放大單元連接，所述第一電容的另一端與所述第二電容連接；
所述第二電容為可調(diào)電容，所述第二電容的一端與所述第一電容連接，所述第二電容的另一端接收所述輸入信號；
所述第三電容為可調(diào)電容，所述第三電容的一端與所述第一電容連接，所述第三電容的另一端接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，
所述可調(diào)電容，包括k個并聯(lián)支路，其中，每個支路包括一個開關(guān)和一個電容，k為正整數(shù)；
所述開關(guān)，用于在所述工作模式為第一工作模式時，處于斷開狀態(tài)；在所述工作模式為第二工作模式時，處于閉合狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，
所述鉗位補償單元，具體用于在所述工作模式為第一工作模式時，處于導(dǎo)通狀態(tài)，向所述偏置單元提供所述第一電信號；在所述工作模式為第二工作模式時，處于斷開狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一晶體管還包括：第三端；
所述第一晶體管的第三端與所述第一晶體管的第二端連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述偏置單元，包括：第一電阻和第二電阻；
所述第一電阻的第一端接收第二偏置電壓，所述第一電阻的第二端與所述第二電阻的第一端連接；
所述第二電阻的第一端連接所述鉗位補償單元，所述第二電阻的第二端連接所述功率放大單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述功率放大單元，包括：n個功率放大子單元；其中，n為正整數(shù)；
第i個功率放大子單元包括：第i電阻和第i放大晶體管，其中，i為小于n的正整數(shù)；
所述第i電阻的第一端接收所述第i個功率放大子單元的偏置信號，所述第i電阻的第二端與所述第i放大晶體管的第二端連接；
所述第i放大晶體管的第一端與第i+1放大晶體管的第三端連接，所述第i放大晶體管的第三端與第i-1放大晶體管的第二端連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路，其特征在于，所述功率放大單元的第n個功率放大子單元包括：第n放大晶體管；
所述第n放大晶體管的第一端與所述電源控制單元連接，所述第n放大晶體管的第二端與所述偏置單元連接，所述第n放大晶體管的第三端與第n-1放大晶體管的第二端連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路，其特征在于，所述功率放大單元，還包括：n-1個偏置電容；
第i個偏置電容的第一端與所述第i放大晶體管的第三端連接，所述第i個偏置電容的第二端與所述第i+1放大晶體管的第二端連接；
所述偏置電容用于為放大晶體管之間提供匹配的射頻阻抗。
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