[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 201810271146.8
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN108470678A
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 龍海鳳;李天慧;藤井光一;黃曉櫓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供初始襯底結構，所述初始襯底結構包括第一區；

在所述初始襯底結構表面形成第一光刻膠；

通過第一干法光刻在所述第一區的第一光刻膠中形成第一溝槽；

形成覆蓋所述第一溝槽側壁的第一側墻；

形成所述第一側墻之后，以所述第一光刻膠和第一側墻為掩膜對所述初始襯底結構進行第一加工處理，形成襯底結構。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述第一側墻的方法包括：在所述第一溝槽中和所述第一光刻膠表面形成第一收縮劑；對所述第一收縮劑進行第一烘焙處理，使第一溝槽側壁表面的第一收縮劑形成第一側墻；所述第一烘焙處理之后，去除未反應的第一收縮劑。

3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一收縮劑的材料包括水溶性大分子和交鏈分子。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一溝槽的寬度大于或等于35nm；所述第一側墻的厚度為5nm～15nm。

5.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述初始襯底結構包括襯底和位于所述襯底表面的第一圖形層；所述第一加工處理的步驟包括：以所述第一光刻膠和第一側墻為掩膜對所述第一圖形層進行第一刻蝕，在所述第一區第一圖形層中形成第一圖形溝槽；形成第一圖形溝槽之后，去除所述第一光刻膠和第一側墻。

6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一區的個數為多個，所述初始襯底結構還包括多個第二區，所述第二區與第一區交替排列；

去除所述第一光刻膠和第一側墻之后，所述形成方法還包括：在所述初始襯底結構表面形成第二光刻膠；通過第二干法光刻在所述第二區的第二光刻膠中形成第二溝槽；形成覆蓋所述第二溝槽側壁的第二側墻；

所述第一加工處理的步驟還包括：形成第二溝槽和第二側墻之后，以所述第二側墻和第二光刻膠為掩膜對所述第一圖形層進行第二刻蝕，在所述第二區第一圖形層中形成第二圖形溝槽，形成所述第二圖形溝槽之后，去除所述第二光刻膠和第二側墻。

7.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述第二側墻的步驟包括：在所述第二溝槽中和所述第二光刻膠表面形成第二收縮劑；對所述第二收縮劑進行第二烘焙處理，使第二溝槽側壁表面的第二收縮劑形成第二側墻；所述第二烘焙處理之后，去除未反應的第二收縮劑。

8.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述初始襯底結構還包括：位于所述襯底和第一圖形層之間的硬掩膜層。

9.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括：在所述第一圖形溝槽中形成第一犧牲層；在所述第二圖形溝槽中形成第二犧牲層；形成所述第一犧牲層和第二犧牲層之后，去除所述第一圖形層；去除所述第一圖形層之后，以所述第一犧牲層和第二犧牲層為掩膜對所述硬掩膜層進行第三刻蝕，在所述硬掩膜層中形成第一掩膜溝槽。

10.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層與所述第一圖形層的材料不相同，所述第二犧牲層與所述第一圖形層的材料不相同；

所述第一犧牲層的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；所述第二犧牲層的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；所述第一圖形層的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。