[發明專利]熱耦合的石英圓頂熱沉在審
| 申請號: | 201810271125.6 | 申請日: | 2014-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN108486548A | 公開(公告)日: | 2018-09-04 |
| 發明(設計)人: | 約瑟夫·M·拉內什;穆罕默德·圖魯爾·薩米爾;保羅·布里爾哈特 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/46;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 燈箱 光學透明窗 處理腔室 基板支撐件 熱耦合 熱沉 石英 紊流 圓頂 輻射能 誘發 處理基板 冷卻光學 冷卻流體 冷卻通道 流體通道 一段距離 熱傳遞 透明窗 流體 基板 開口 容納 穿過 | ||
1.一種處理腔室,所述處理腔室包括:
腔室主體,所述腔室主體具有下圓頂;
箱體,所述箱體設置成與所述下圓頂鄰近,所述箱體包括一個或多個輻射能量源,所述一個或多個輻射能量源設置于所述箱體中的開口中,其中所述開口具有紊流誘發特征;和
溫度控制單元,所述溫度控制單元適于提供冷卻流體至于所述下圓頂與所述箱體之間形成的間隙,其中所述開口引起所述冷卻流體中的紊流以增強所述下圓頂的冷卻。
2.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述箱體包括界定在所述輻射能量源之間的一個或多個冷卻通道。
3.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述開口形成于所述箱體的上表面內。
4.如權利要求3所述的處理腔室,其中所述燈箱的所述上表面設置在于所述下圓頂與所述箱體之間形成的所述間隙與多個冷卻通道之間,且所述多個冷卻通道形成于所述箱體中。
5.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述箱體包含銅或鋁。
6.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述溫度控制單元包括熱交換器。
7.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述溫度控制單元包括強制流體送入單元。
8.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述下圓頂為光學透明的。
9.如權利要求8所述的處理腔室,其中所述下圓頂包含石英。
10.如權利要求3所述的處理腔室,其中所述箱體的所述上表面進一步包括述額外的紊流誘發特征,所述額外的紊流誘發特征為凸塊或脊。
11.一種處理腔室,所述處理腔室包括:
腔室主體,所述腔室主體耦接至光學透明圓頂;
箱體,所述箱體設置成與所述光學透明圓頂鄰近且間隔,其中間隙形成于所述光學透明圓頂與所述箱體的上表面之間;和
溫度控制單元,所述溫度控制單元適于提供冷卻流體至所述間隙,其中在所述箱體面向所述光學透明圓頂的所述上表面上形成紊流誘發特征。
12.如權利要求11所述的處理腔室,其中所述紊流誘發特征包括形成于所述箱體的所述上表面內的開口。
13.如權利要求11所述的處理腔室,其中所述紊流誘發特征包括凸塊或脊。
14.如權利要求13所述的處理腔室,其中所述紊流誘發特征與所述光學透明圓頂面向所述箱體的下表面接觸。
15.如權利要求11所述的處理腔室,其中所述箱體包括多個冷卻通道,其中所述上表面設置在所述冷卻流體與所述間隙之間。
16.如權利要求11所述的處理腔室,其中所述箱體具有輻射能量源,所述輻射能量源設置在于所述箱體的所述上表面內形成的開口中,所述開口以反射襯墊做襯里,并且所述紊流誘發特征包括所述反射襯墊中的至少一些反射襯墊的延伸部分,所述延伸部分在所述箱體的所述上表面上方延伸。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





