[發(fā)明專利]用于接觸孔對準(zhǔn)的多晶硅迭層測量圖形的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810270884.0
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN108470691B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許邦泓;楊尚勇;黃永發(fā);蔡孟霖
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種用于接觸孔對準(zhǔn)的多晶硅迭層測量圖形的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、提供一半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底表面依次形成第一柵介質(zhì)層和多晶硅層；

步驟二、在所述多晶硅層的表面形成硬質(zhì)掩模層；所述硬質(zhì)掩模層中包括第一氮化層；

步驟三、進(jìn)行光刻形成第一光刻膠的圖形定義出多晶硅柵的形成區(qū)域以及多晶硅迭層測量圖形的形成區(qū)域；所述多晶硅柵的形成區(qū)域被第一光刻膠覆蓋；

所述多晶硅迭層測量圖形中包括多個(gè)多晶硅線條排列結(jié)構(gòu)，各所述多晶硅線條排列結(jié)構(gòu)由多條多晶硅線條排列而成，所述多晶硅迭層測量圖形的形成區(qū)域中僅在各所述多晶硅線條表面覆蓋第一光刻膠，各所述多晶硅線條外的第一光刻膠都被去除，用以降低所述多晶硅迭層測量圖形中的具有連續(xù)多晶硅結(jié)構(gòu)的面積；

步驟四、在步驟三形成的第一光刻膠定義下依次對所述硬質(zhì)掩模層和所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕分別形成所述多晶硅柵和所述多晶硅迭層測量圖形；

步驟五、采用光刻膠回刻工藝去除各所述多晶硅柵和所述多晶硅迭層測量圖形的各所述多晶硅線條表面的所述硬質(zhì)掩模層，通過步驟三中對所述多晶硅迭層測量圖形中的具有連續(xù)多晶硅結(jié)構(gòu)的面積的控制使所述多晶硅迭層測量圖形區(qū)域中的所述硬質(zhì)掩模層都被去除，防止所述硬質(zhì)掩模層殘留影響所述多晶硅迭層測量圖形的測量。

2.如權(quán)利要求1所述的用于接觸孔對準(zhǔn)的多晶硅迭層測量圖形的制造方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底。

3.如權(quán)利要求2所述的用于接觸孔對準(zhǔn)的多晶硅迭層測量圖形的制造方法，其特征在于：所述第一柵介質(zhì)層為柵氧化層。

4.如權(quán)利要求2所述的用于接觸孔對準(zhǔn)的多晶硅迭層測量圖形的制造方法，其特征在于：所述多晶硅柵為偽柵，在步驟四刻蝕形成所述多晶硅柵之后還包括在所述多晶硅柵的側(cè)面形成側(cè)墻的步驟以及在所述多晶硅柵兩側(cè)的所述半導(dǎo)體襯底中形成源漏區(qū)的步驟。

5.如權(quán)利要求4所述的用于接觸孔對準(zhǔn)的多晶硅迭層測量圖形的制造方法，其特征在于：在步驟五之后還包括如下步驟：

步驟六、形成接觸孔刻蝕停止層；

步驟七、形成第一層間膜；

步驟八、進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝將所述第一層間膜和所述接觸孔刻蝕停止層研磨到和所述多晶硅柵的表面相平；

步驟九、去除所述多晶硅柵和所述第一柵介質(zhì)層；

步驟十、在所述多晶硅柵和所述第一柵介質(zhì)層的去除區(qū)域形成金屬柵極結(jié)構(gòu)；

步驟十一、形成第二層間膜；

步驟十二、進(jìn)行接觸孔的光刻并形成第二光刻膠圖形，所述接觸孔的光刻過程中采用多晶硅迭層測量圖形進(jìn)行對準(zhǔn)；

步驟十三、對所述第二層間膜和所述第一層間膜進(jìn)行刻蝕形成接觸孔，其中所述源漏區(qū)上方的接觸孔穿過所述第二層間膜和所述第一層間膜，所述金屬柵極結(jié)構(gòu)上方的接觸孔穿過所述第二層間膜。

6.如權(quán)利要求1所述的用于接觸孔對準(zhǔn)的多晶硅迭層測量圖形的制造方法，其特征在于：步驟二中所述硬質(zhì)掩模層中還包括第二氧化層，所述第一氮化層疊加在所述第二氧化層之上。

7.如權(quán)利要求4所述的用于接觸孔對準(zhǔn)的多晶硅迭層測量圖形的制造方法，其特征在于：所述側(cè)墻的材料采用氮化層。

8.如權(quán)利要求4所述的用于接觸孔對準(zhǔn)的多晶硅迭層測量圖形的制造方法，其特征在于：所述源漏區(qū)自對準(zhǔn)形成于所述多晶硅柵的兩側(cè)。

9.如權(quán)利要求4所述的用于接觸孔對準(zhǔn)的多晶硅迭層測量圖形的制造方法，其特征在于：在所述源漏區(qū)中還包括嵌入式外延層。

10.如權(quán)利要求9所述的用于接觸孔對準(zhǔn)的多晶硅迭層測量圖形的制造方法，其特征在于：PMOS器件對應(yīng)的嵌入式外延層為嵌入式鍺硅外延層。

11.如權(quán)利要求1所述的用于接觸孔對準(zhǔn)的多晶硅迭層測量圖形的制造方法，其特征在于：步驟三中將所述多晶硅迭層測量圖形中的具有連續(xù)多晶硅結(jié)構(gòu)的面積降低到30微米×30微米以下。