[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201810270135.8
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN108461529A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 馮京;尹東升;寧策;王久石
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示技術領域，可在有限的驅動電路排布區域中增大存儲電容的電容量，滿足高PPI的顯示需要。該陣列基板包括設置在襯底基板上的多個像素單元；像素單元包括：第一薄膜晶體管；第一薄膜晶體管包括：第一有源圖案、第一源極、第一漏極和第一柵極，第一柵極位于第一有源圖案遠離襯底基板的一側設置，第一源極和第一漏極位于第一柵極遠離襯底基板的一側設置，且分別通過不同的過孔與第一有源圖案相連；第一電極，與第一有源圖案同層設置；第二電極，與第一柵極同層設置；第一電極與第一漏極相連；第一電極、第二電極、第一漏極中的任意兩個在襯底基板上的正投影存在重疊區域。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術

為實現更優的畫面顯示效果，顯示裝置中單個像素單元(Pixel)的尺寸在不斷減少。像素單元中通常設置的多個薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)占用了像素單元中的較多區域，留給存儲電容的排布區域過小，導致存儲電容面積減少，從而產生存儲電容的電容值難以滿足高PPI(pixels per inch，每英寸的像素單元數量)的顯示需求的問題。

發明內容

鑒于此，為解決現有技術的問題，本發明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，可在有限的存儲電容的排布區域中增大存儲電容的電容量，滿足高PPI的顯示需要。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

第一方面、本發明實施例提供了一種陣列基板，包括設置在襯底基板上的多個像素單元；所述像素單元包括：第一薄膜晶體管；所述第一薄膜晶體管包括：第一有源圖案、第一源極、第一漏極和第一柵極，所述第一柵極位于所述第一有源圖案遠離所述襯底基板的一側設置，所述第一源極和所述第一漏極位于所述第一柵極遠離所述襯底基板的一側設置，且分別通過不同的過孔與所述第一有源圖案相連；所述像素單元還包括：第一電極，與所述第一有源圖案同層設置；第二電極，與所述第一柵極同層設置；其中，所述第一電極與所述第一漏極相連；所述第一電極、所述第二電極、所述第一漏極中的任意兩個在所述襯底基板上的正投影存在重疊區域。

可選的，所述像素單元還包括：相對于所述第一電極靠近所述襯底基板的一側設置的第三電極；所述第三電極、所述第一電極、所述第二電極、所述第一漏極中的任意兩個在所述襯底基板上的正投影存在重疊區域。

可選的，所述像素單元還包括：第二薄膜晶體管；其中，所述第二薄膜晶體管包括：第二有源圖案、第二源極、第二漏極和第二柵極，所述第二源極、所述第二漏極分別通過不同的過孔與所述第二有源圖案相連；所述第二有源圖案與所述第一有源圖案同層設置；所述第二源極、所述第二漏極、所述第一源極、所述第一漏極同層設置；所述第二柵極與所述第一柵極同層設置；所述第二漏極與所述第二電極、所述第三電極相連。

可選的，所述像素單元還包括：遮光圖案；所述遮光圖案與所述第三電極同層設置，且所述第一有源圖案和所述第二有源圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述遮光圖案在所述襯底基板上的正投影內。

可選的，所述第一有源圖案的材料為氧化物半導體，所述第一電極的材料為氧化物導體；和/或，所述第一柵極與所述第二電極的材料相同；和/或，所述遮光圖案與所述第三電極的材料相同，所述遮光圖案的材料為金屬。