[發明專利]柔性透明碳納米管神經電極陣列在神經光電界面中的應用

有效

• 申請號: 201810270109.5
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN108744268B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 段小潔;曹安源;張菁;徐文靜;劉小軍;楚芳冰
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: A61N1/05
• 分類號: A61N1/05;A61N1/36
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢

1.由碳納米管薄膜制成的電極陣列的應用，其特征在于：所述由碳納米管薄膜制成的電極陣列的應用為在制備神經系統電光界面器件中的應用；

所述神經系統電光界面器件中，所述神經系統選自脊髓、外周神經系統和腦中的至少一種；

所述由碳納米管薄膜制成的電極陣列由基底、圖案化的碳納米管薄膜和封裝層組成；

其中，所述圖案化的碳納米管薄膜內嵌于所述基底中或位于基底表面，其裸露的一面被所述圖案化的封裝層覆蓋，僅覆蓋圖案化碳納米管薄膜作為引線的部分；

所述圖案化的碳納米管薄膜作為電極陣列的記錄位點和引線；

構成所述基底的材料為PDMS；構成所述封裝層的材料為SU-8；

所述碳納米管薄膜由包括如下步驟的方法制備：在惰性氣氛中，以鎳片為基底，且鎳片面朝下放置，以溶解了二茂鐵和硫的二甲苯溶液作為碳源和催化劑，進行化學氣相沉積，沉積完畢即在鎳片表面得到碳納米管薄膜；將生長在鎳片表面上的碳納米管薄膜用鑷子揭起后，依次用雙氧水和濃硝酸各浸泡三天，再用酒精洗滌，得到所述碳納米管薄膜。

2.根據權利要求1所述的應用，其特征在于：所述神經系統電光界面器件能夠記錄神經系統的神經活動和/或對神經系統進行成像和/或對神經系統進行光刺激。

3.一種神經系統電光界面器件，其特征在于：所述神經系統電光界面器件由碳納米管薄膜制成的電極陣列組成；

所述神經系統電光界面器件中，所述神經系統選自脊髓、外周神經系統和腦中的至少一種；

所述由碳納米管薄膜制成的電極陣列由基底、圖案化的碳納米管薄膜和封裝層組成；

其中，所述圖案化的碳納米管薄膜內嵌于所述基底中或位于基底表面，其裸露的一面被所述圖案化的封裝層覆蓋，僅覆蓋圖案化碳納米管薄膜作為引線的部分；

所述圖案化的碳納米管薄膜作為電極陣列的記錄位點和引線；

構成所述基底的材料為PDMS；構成所述封裝層的材料為SU-8；

所述碳納米管薄膜由包括如下步驟的方法制備：在惰性氣氛中，以鎳片為基底，且鎳片面朝下放置，以溶解了二茂鐵和硫的二甲苯溶液作為碳源和催化劑，進行化學氣相沉積，沉積完畢即在鎳片表面得到碳納米管薄膜；將生長在鎳片表面上的碳納米管薄膜用鑷子揭起后，依次用雙氧水和濃硝酸各浸泡三天，再用酒精洗滌，得到所述碳納米管薄膜。

4.根據權利要求3所述的神經系統電光界面器件，其特征在于：所述神經系統電光界面器件能夠記錄神經系統的神經活動和/或對神經系統進行成像和/或對神經系統進行光刺激。

5.由碳納米管薄膜制成的電極陣列在制備可拉伸器件、透光器件或可拉伸透光器件中的應用；

所述可拉伸器件、透光器件或可拉伸透光器件為神經系統電光界面器件；

所述神經系統選自脊髓、外周神經系統和腦中的至少一種；

所述由碳納米管薄膜制成的電極陣列由基底、圖案化的碳納米管薄膜和封裝層組成；

其中，所述圖案化的碳納米管薄膜內嵌于所述基底中或位于基底表面，其裸露的一面被所述圖案化的封裝層覆蓋，僅覆蓋圖案化碳納米管薄膜作為引線的部分；

所述圖案化的碳納米管薄膜作為電極陣列的記錄位點和引線；

構成所述基底的材料為PDMS；構成所述封裝層的材料為SU-8；

所述碳納米管薄膜由包括如下步驟的方法制備：在惰性氣氛中，以鎳片為基底，且鎳片面朝下放置，以溶解了二茂鐵和硫的二甲苯溶液作為碳源和催化劑，進行化學氣相沉積，沉積完畢即在鎳片表面得到碳納米管薄膜；將生長在鎳片表面上的碳納米管薄膜用鑷子揭起后，依次用雙氧水和濃硝酸各浸泡三天，再用酒精洗滌，得到所述碳納米管薄膜。

6.根據權利要求5所述的應用，其特征在于：所述神經系統電光界面器件能夠記錄神經系統的神經活動和/或對神經系統進行成像和/或對神經系統進行光刺激。