[發明專利]雙斜坡模/數轉換器的比較器

有效

• 申請號: 201810269540.8
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN108737754B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 海老原弘知
• 申請（專利權）人: 豪威科技股份有限公司
• 主分類號: H04N5/378
• 分類號: H04N5/378;H04N5/3745
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 劉媛媛

1.一種比較器，其包括：

第二級，其經耦合以響應于中間電壓而提供輸出；

第一級，其經耦合以響應于輸入而提供所述中間電壓，所述第一級包括：

一對共源共柵裝置，其耦合到電流鏡；

低增益輸入，其經由第一及第二開關耦合到所述第一級的第一及第二輸入，且進一步經由第三及第四開關選擇性地耦合到所述一對共源共柵裝置；及

高增益輸入，其經由所述第一及第二開關耦合到所述第一級的所述第一及第二輸入，且進一步經由第五及第六開關選擇性地耦合到所述一對共源共柵裝置，

其中，基于低轉換增益模式，所述低增益輸入通過所述第一及第二開關耦合到所述第一及第二輸入，且進一步響應于控制信號處于第一狀態中而通過所述第三及第四開關耦合到所述一對共源共柵裝置，且

其中，基于高轉換增益模式，所述高增益輸入通過所述第一及第二開關耦合到所述第一及第二輸入，且進一步響應于所述控制信號處于第二狀態中而通過所述第五及第六開關耦合到所述一對共源共柵裝置。

2.根據權利要求1所述的比較器，其中所述一對共源共柵裝置形成于第一區域中，且所述電流鏡形成于第二區域中，且其中所述第一區域經布置成鄰近于所述第二區域。

3.根據權利要求1所述的比較器，其中所述第二級耦合到形成于所述共源共柵裝置與所述電流鏡之間的節點。

4.根據權利要求3所述的比較器，其中將所述節點耦合到所述第二級的導電跡線將所述中間電壓提供到所述第二級。

5.根據權利要求1所述的比較器，其進一步包括尾電流源。

6.根據權利要求5所述的比較器，其中所述低增益及高增益輸入分別通過第七及第八開關耦合到所述尾電流源，且其中所述第七及第八開關由所述控制信號控制。

7.根據權利要求1所述的比較器，其中所述高增益輸入包含耦合于所述第一及第二開關與第一及第二NMOS晶體管之間的第一及第二輸入電容器，且其中所述第一及第二NMOS晶體管進一步耦合到所述第五及第六開關。

8.根據權利要求1所述的比較器，其中所述低增益輸入包含耦合于所述第一及第二開關與第三及第四NMOS晶體管之間的第三及第四輸入電容器，且其中所述第三及第四NMOS晶體管進一步耦合到所述第三及第四開關。

9.一種比較器，其包括：

高增益輸入區域，其包含第一多個裝置；

低增益輸入區域，其布置成鄰近于所述高增益輸入區域，所述低增益輸入區域包含第二多個裝置；

電流源區域，其布置成鄰近于所述低增益輸入區域；

共源共柵裝置區域，其布置成挨著所述電流源區域；

電流鏡區域，其布置成挨著所述共源共柵裝置區域；及

第二級，其布置成挨著所述電流鏡區域，其中所述共源共柵裝置區域通過所述電流鏡區域電耦合到所述第二級。

10.根據權利要求9所述的比較器，其中所述高增益輸入區域、所述低增益輸入區域、所述電流源區域、所述共源共柵裝置區域及所述電流鏡區域形成第一級。

11.根據權利要求9所述的比較器，其中所述共源共柵裝置區域經由多個相應開關選擇性地耦合到所述高增益輸入區域及所述低增益輸入區域。

12.根據權利要求11所述的比較器，其中所述多個相應開關由控制信號控制，且其中所述控制信號在處于第一狀態中時致使所述低增益輸入耦合到所述共源共柵裝置，且進一步在處于第二狀態中時致使所述高增益輸入耦合到所述共源共柵裝置。

13.根據權利要求9所述的比較器，其中中間電壓是所述比較器的第一級的輸出，且其中所述比較器的輸出由所述第二級提供。