[發(fā)明專利]基板處理裝置和基板處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810268895.5
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN108695133B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小川裕之;大久保智也;清水昭貴
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種基板處理裝置，其在處理容器內(nèi)的載置臺上載置基板，并供給氣體來對基板進(jìn)行處理，該基板處理裝置的特征在于，具備：

分隔部，其與所述載置臺相向地設(shè)置，設(shè)置于配置基板的處理空間與第一氣體擴(kuò)散的擴(kuò)散空間之間；

第一氣體供給部，其用于向所述擴(kuò)散空間供給所述第一氣體；

多個(gè)第一氣體噴出孔，其以在厚度方向上貫通所述分隔部的方式形成，用于將擴(kuò)散到所述擴(kuò)散空間的第一氣體噴出到所述處理空間；以及

第二氣體供給部，其包含多個(gè)第二氣體噴出孔，該多個(gè)第二氣體噴出孔在所述分隔部中的所述處理空間側(cè)的氣體噴出面開口，該第二氣體供給部與所述第一氣體獨(dú)立地將第二氣體分別獨(dú)立地供給到在該處理空間中橫向并排的多個(gè)區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述多個(gè)區(qū)域包含以所述基板的中心軸為中心的中央?yún)^(qū)域和包圍所述中央?yún)^(qū)域的周緣區(qū)域，

所述第二氣體供給部具備：

中央側(cè)氣體供給部，其向所述中央?yún)^(qū)域供給第二氣體；以及

周緣側(cè)氣體供給部，其向所述周緣區(qū)域供給第二氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述分隔部由板狀體構(gòu)成，

所述中央側(cè)氣體供給部具備：

中央?yún)^(qū)域用的氣體導(dǎo)入路，其形成于所述板狀體的周圍；以及

中央?yún)^(qū)域用的氣體流路，其以一端側(cè)與所述氣體導(dǎo)入路連通的方式形成于所述板狀體的內(nèi)部，另一端側(cè)沿著所述氣體噴出面被引出到所述板狀體的中央?yún)^(qū)域，并且所述第二氣體噴出孔在中央?yún)^(qū)域用的氣體流路開口，

所述周緣側(cè)氣體供給部具備：

周緣區(qū)域用的氣體導(dǎo)入路，其形成于所述板狀體的周圍；以及

周緣區(qū)域用的氣體流路，其以一端側(cè)與該氣體導(dǎo)入路連通的方式形成于所述板狀體的內(nèi)部，另一端側(cè)沿著所述氣體噴出面被引出到所述板狀體的周緣區(qū)域，并且所述第二氣體噴出孔在周緣區(qū)域用的氣體流路開口。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述中央?yún)^(qū)域用的氣體流路的另一端側(cè)被引出到所述板狀體的中央?yún)^(qū)域并進(jìn)行分支。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述中央?yún)^(qū)域用的流路和所述周緣區(qū)域用的流路分別被設(shè)置多個(gè)，

當(dāng)將所述分隔部的厚度方向設(shè)為高度方向時(shí)，以高度方向的位置相互不同的方式設(shè)置有：

中央?yún)^(qū)域用的擴(kuò)散流路，其使氣體擴(kuò)散以向多個(gè)所述中央?yún)^(qū)域用的流路的各個(gè)流路供給氣體；以及

周緣區(qū)域用的擴(kuò)散流路，其使氣體擴(kuò)散以向多個(gè)所述周緣區(qū)域用的流路的各個(gè)流路供給氣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述第一氣體是對基板進(jìn)行處理的處理氣體，所述第二氣體是非活性氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，

具備等離子體產(chǎn)生部，該等離子體產(chǎn)生部用于將供給到所述擴(kuò)散空間的第一氣體活化。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，

具備離子阱部，該離子阱部被設(shè)置成在比所述第一氣體噴出孔更靠近所述擴(kuò)散空間側(cè)的位置，其內(nèi)部的氣體流路與所述第一氣體噴出孔連通，該離子阱部捕捉被活化的第一氣體中的離子。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述分隔部包含用于抑制離子阱部的熱傳導(dǎo)到處理空間側(cè)的隔熱部件。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述隔熱部件和所述處理容器由金屬構(gòu)成，

所述隔熱部件和所述處理容器被配置成相互接觸。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的基板處理裝置，其特征在于，

供第二氣體流通的流路穿設(shè)于所述分隔部的所述隔熱部件的內(nèi)部。