[發(fā)明專利]一種高寒低溫條件下的污水處理設(shè)備及工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810268814.1 | 申請日: | 2018-03-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108569821A | 公開(公告)日: | 2018-09-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 章武首;朱龍海;安衛(wèi)軍;陳文立;秦臻;梁右東 | 申請(專利權(quán))人: | 陜西朗正環(huán)保科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C02F9/14 | 分類號(hào): | C02F9/14 |
| 代理公司: | 西安恒泰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61216 | 代理人: | 李婷 |
| 地址: | 710075 陜西省西安市*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 罐體 好氧池 兼氧池 厭氧池 體內(nèi) 供熱系統(tǒng) 太陽能真空管 污水處理設(shè)備 低溫條件 循環(huán)加熱 澄清池 輸入輸出循環(huán) 污水處理裝置 循環(huán)加熱介質(zhì) 高寒地區(qū) 加熱介質(zhì) 加熱系統(tǒng) 節(jié)能效果 生化反應(yīng) 太陽能水 循環(huán)利用 依次連接 沉淀池 伸入罐 消毒池 出水 加熱 供熱 污水 地下 保證 | ||
1.一種高寒低溫條件下的污水處理設(shè)備,包括罐體(1),罐體(1)位于地下,在罐體(1)內(nèi)依次連接有第一厭氧池(2)、第二厭氧池(3)、第三厭氧池(4)、第一兼氧池(5)、第二兼氧池(6)、第三兼氧池(7)、第一好氧池(8)、第二好氧池(9)、第三好氧池(10)、沉淀池(11)、消毒池(12)和澄清池(13),其特征在于,所述設(shè)備還包括供熱系統(tǒng),供熱系統(tǒng)包括伸入罐體(1)內(nèi)的太陽能真空管(14),太陽能真空管(14)向罐體(1)內(nèi)輸入輸出循環(huán)加熱介質(zhì)水,循環(huán)加熱介質(zhì)水能夠?qū)摅w(1)內(nèi)的第一厭氧池(2)、第二厭氧池(3)、第三厭氧池(4)、第一兼氧池(5)、第二兼氧池(6)、第三兼氧池(7)、第一好氧池(8)、第二好氧池(9)、第三好氧池(10)、沉淀池(11)、消毒池(12)和澄清池(13)進(jìn)行循環(huán)加熱;
所述澄清池(13)與太陽能真空管(14)連接形成出水回收循環(huán)支路,用于部分回收澄清池(13)出水至循環(huán)加熱介質(zhì)水中。
2.如權(quán)利要求1所述污水處理設(shè)備,其特征在于,所述太陽能真空管(14)包括內(nèi)層玻璃管和外層玻璃管,內(nèi)層玻璃管和外層玻璃管之間有真空層,內(nèi)層玻璃管的表面設(shè)置有光譜選擇性吸收涂層。
3.如權(quán)利要求1所述污水處理設(shè)備,其特征在于,所述第一厭氧池(2)、第二厭氧池(3)和第三厭氧池(4)內(nèi)填充有生物填料,第一兼氧池(5)、第二兼氧池(6)和第三兼氧池(7)內(nèi)設(shè)置有球形填料。
4.如權(quán)利要求1所述污水處理設(shè)備,其特征在于,所述第一好氧池(8)、第二好氧池(9)和第三好氧池(10)底部均設(shè)置有多個(gè)微孔曝氣盤,所述澄清池(13)底部設(shè)置有排空閥。
5.如權(quán)利要求1所述污水處理設(shè)備,其特征在于,所述污水處理設(shè)備還包括依次連接的第一化糞池(15)和第二化糞池(16),第二化糞池(16)與第一厭氧池(2)連接。
6.如權(quán)利要求1所述污水處理設(shè)備,其特征在于,所述沉淀池(11)內(nèi)設(shè)置有氣提裝置,通過氣提裝置將沉淀池(11)中的污泥回流至第一化糞池(15)。
7.如權(quán)利要求1所述污水處理設(shè)備,其特征在于,所述罐體(1)外設(shè)置有保溫層,保溫層采用聚氨酯泡沫。
8.一種高寒低溫條件下的污水處理工藝,所述污水依次經(jīng)厭氧發(fā)酵、兼氧發(fā)酵、好氧處理、沉淀、消毒以及澄清處理,其特征在于,該工藝采用如上所述的高寒低溫條件下的污水處理設(shè)備;
該污水處理工藝的供熱系統(tǒng)采用太陽能水浴加熱供熱,經(jīng)澄清處理后的部分水可循環(huán)用于供熱系統(tǒng)。
9.如權(quán)利要求8所述污水處理工藝,其特征在于,所述厭氧發(fā)酵、兼氧發(fā)酵和好氧處理時(shí)水力停留時(shí)間分別為40min,60min、160min,沉淀和澄清處理總的水力停留時(shí)間為4h,處理量為0.6m3/d,水浴溫度為25℃-35℃,好氧處理階段溶解氧濃度為2-4mg/L。
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