[發(fā)明專(zhuān)利]存儲(chǔ)器裝置及用于其的測(cè)試電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810266730.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-03-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108564982B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-10-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 請(qǐng)求不公布姓名 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G11C29/18 | 分類(lèi)號(hào): | G11C29/18;G11C29/56 |
| 代理公司: | 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313 | 代理人: | 張臻賢;武晨燕 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲(chǔ)器 裝置 用于 測(cè)試 電路 | ||
本發(fā)明至少提供一種存儲(chǔ)器裝置,其中,地址鎖存器可根據(jù)塊選擇使能信號(hào)輸出塊選擇控制信號(hào);測(cè)試模式選擇單元可根據(jù)測(cè)試模式選擇指令信號(hào)輸出測(cè)試模式選擇信號(hào);塊選擇單元根據(jù)模式選擇信號(hào)和塊選擇使能信號(hào)輸出塊選擇信號(hào);當(dāng)根據(jù)塊選擇信號(hào)使能第一存儲(chǔ)模塊時(shí),第一存儲(chǔ)模塊輸出第一輸入輸出數(shù)據(jù);當(dāng)根據(jù)塊選擇信號(hào)使能第二存儲(chǔ)模塊時(shí),第二存儲(chǔ)模塊輸出第二輸入輸出數(shù)據(jù);當(dāng)存儲(chǔ)器根據(jù)測(cè)試模式選擇信號(hào)進(jìn)入第一測(cè)試模式時(shí),輸出緩存器將部分輸入輸出端口置于禁用狀態(tài),并將第一輸入輸出數(shù)據(jù)和第二輸入輸出數(shù)據(jù)先后從未禁用的輸入輸出端口輸出。本發(fā)明的存儲(chǔ)器裝置可以減少占用測(cè)試機(jī)臺(tái)的輸入輸出端口。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域,尤其涉及一種存儲(chǔ)器裝置及用于存儲(chǔ)器裝置的測(cè)試電路。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(Semi-Conductor Memory)是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒體的存儲(chǔ)器,是由半導(dǎo)體集成電路組成。圖1示出了一個(gè)16位存儲(chǔ)器裝置100的電路圖,存儲(chǔ)器裝置100包括兩個(gè)8位存儲(chǔ)模塊141和142,存儲(chǔ)器裝置100還包括指令邏輯單元170和地址鎖存器110,指令邏輯單元170在外部信號(hào)OE、RAS/、CAS/和WE/的控制下輸出內(nèi)部控制信號(hào),地址鎖存器130鎖存地址信號(hào)ADD[0:13],并輸出行地址信號(hào)ROW[0:13]和列地址信號(hào)COL[0:9]至存儲(chǔ)模塊141和142,存儲(chǔ)模塊141和142將行地址信號(hào)ROW[0:13]和列地址信號(hào)COL[0:9]譯碼并輸出數(shù)據(jù),輸出緩存器151將存儲(chǔ)模塊141的數(shù)據(jù)緩存輸出,輸出緩存器152將存儲(chǔ)模塊142的數(shù)據(jù)緩存輸出。
圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中常用的存儲(chǔ)器裝置測(cè)試電路示意圖,將多個(gè)被測(cè)存儲(chǔ)器裝置100(DUT′1、DUT′2、DUT′3、DUT′4、DUT′5、DUT′6……)與測(cè)試機(jī)臺(tái)10連接,其中,第1個(gè)存儲(chǔ)器裝置DUT′1的OE端口、RAS/端口、CAS/端口和WE/端口都需要分別占用測(cè)試機(jī)臺(tái)10的1個(gè)輸入輸出端口IO1[0:3],并且地址端口A[0:13]需要占用測(cè)試機(jī)臺(tái)10的14個(gè)輸入輸出端口IO1[4:17],數(shù)據(jù)端口DQ[0:15]需要占用測(cè)試機(jī)臺(tái)10的16個(gè)輸入輸出端口IO1[18:13],每一個(gè)存儲(chǔ)器裝置100都需要類(lèi)似的連接,當(dāng)有6個(gè)存儲(chǔ)器裝置時(shí),就需要占用測(cè)試機(jī)臺(tái)10的201個(gè)輸入輸出端口,因此,現(xiàn)有技術(shù)的測(cè)試電路需要占用測(cè)試機(jī)臺(tái)的多個(gè)IO端口,導(dǎo)致測(cè)試資源的浪費(fèi)和測(cè)試成本的增加。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器裝置以及用于存儲(chǔ)器裝置的測(cè)試電路,以解決或緩解現(xiàn)有技術(shù)中的一項(xiàng)或更多項(xiàng)技術(shù)問(wèn)題。
作為本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面,本發(fā)明實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器裝置,包括:
地址鎖存器,具有地址信號(hào)輸入端和塊選擇使能信號(hào)輸入端,分別用于接收地址信號(hào)和塊選擇使能信號(hào),所述地址鎖存器輸出地址控制信號(hào)和塊選擇控制信號(hào);
測(cè)試模式選擇單元,具有測(cè)試模式選擇指令輸入端,用于接收測(cè)試模式選擇指令信號(hào),所述測(cè)試模式選擇單元根據(jù)所述測(cè)試模式選擇指令信號(hào)輸出測(cè)試模式選擇信號(hào);
塊選擇單元,連接于所述地址鎖存器和所述測(cè)試模式選擇單元,用于根據(jù)所述塊選擇控制信號(hào)和所述測(cè)試模式選擇信號(hào)輸出塊選擇信號(hào);
第一存儲(chǔ)模塊,連接于所述塊選擇單元和所述地址鎖存器,當(dāng)根據(jù)所述塊選擇信號(hào)使能所述第一存儲(chǔ)模塊時(shí),所述第一存儲(chǔ)模塊將所述地址控制信號(hào)譯碼并輸出第一輸入輸出數(shù)據(jù);
第二存儲(chǔ)模塊,連接于所述塊選擇單元和所述地址鎖存器,當(dāng)根據(jù)所述塊選擇信號(hào)使能所述第二存儲(chǔ)模塊時(shí),所述第二存儲(chǔ)模塊將所述地址控制信號(hào)譯碼并輸出第二輸入輸出數(shù)據(jù);以及
輸出緩存器,具有多個(gè)輸入輸出端口,所述輸出緩存器連接于所述測(cè)試模式選擇單元,并連接于所述第一存儲(chǔ)模塊和所述第二存儲(chǔ)模塊,當(dāng)所述存儲(chǔ)器裝置根據(jù)所述測(cè)試模式選擇信號(hào)進(jìn)入第一測(cè)試模式時(shí),所述輸出緩存器將部分輸入輸出端口置于禁用狀態(tài),并將所述第一輸入輸出數(shù)據(jù)和所述第二輸入輸出數(shù)據(jù)先后從未禁用的輸入輸出端口輸出。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
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G11C 靜態(tài)存儲(chǔ)器
G11C29-00 存儲(chǔ)器正確運(yùn)行的校驗(yàn);備用或離線操作期間測(cè)試存儲(chǔ)器
G11C29-02 .損壞的備用電路的檢測(cè)或定位,例如,損壞的刷新計(jì)數(shù)器
G11C29-04 .損壞存儲(chǔ)元件的檢測(cè)或定位
G11C29-52 .存儲(chǔ)器內(nèi)量保護(hù);存儲(chǔ)器內(nèi)量中的錯(cuò)誤檢測(cè)
G11C29-54 .設(shè)計(jì)檢測(cè)電路的裝置,例如,可測(cè)試性設(shè)計(jì)
G11C29-56 .用于靜態(tài)存儲(chǔ)器的外部測(cè)試裝置,例如,自動(dòng)測(cè)試設(shè)備
- 用于控制非易失性存儲(chǔ)器的控制器
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- 光源裝置、照明裝置、曝光裝置和裝置制造方法
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