[發明專利]陣列基板的制作方法

有效

• 申請號: 201810265266.7
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN108508664B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 高冬子
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;鞠驍

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供基板(10)，在所述基板(10)上依次形成第一金屬層(20)、絕緣層(30)、半導體層(40)、金屬材料層(50)及光阻層(70)；

步驟S2、利用一光罩對光阻層(70)進行曝光顯影，形成光阻圖案(60)；所述光阻圖案(60)包括多條平行且間隔的第一光阻條(61)及將多條第一光阻條(61)連接的第二光阻條(62)；所述第一光阻條(61)的厚度大于第二光阻條(62)的厚度；

步驟S3、以光阻圖案(60)為遮擋對金屬材料層(50)進行濕蝕刻，對應第一光阻條(61)形成數據線(51)，對應第二光阻條(62)形成連接線(52)；

步驟S4、對光阻圖案(60)及半導體層(40)進行干蝕刻，去除半導體層(40)中未被光阻圖案(60)覆蓋的部分并灰化所述光阻圖案(60)，使第一光阻條(61)的厚度減薄并去除第二光阻條(62)；

步驟S5、以經過灰化的光阻圖案(60)為遮擋對經過濕蝕刻的金屬材料層(50)再次進行濕蝕刻，去除所述連接線(52)；

任意兩條相鄰的第一光阻條(61)的相鄰的端部經一條第二光阻條(62)連接在一起。

2.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層(20)包括多條平行且間隔的掃描線(21)及陣列排布的多個柵極(22)；一行柵極(22)對應連接一條掃描線(21)。

3.如權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S3形成的多條數據線(51)與多條掃描線(21)互相垂直交叉。

4.如權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述光阻圖案(60)還包括對應設于多個柵極(22)上方的多個光阻塊(63)；所述光阻塊(63)包括位于兩端的第一部分(631)及位于第一部分(631)之間的第二部分(632)，第一部分(631)的厚度大于第二部分(632)的厚度；位于一列柵極(22)上方的光阻塊(63)的一端對應與一條第一光阻條(61)連接；

所述步驟S3以光阻圖案(60)為遮擋對金屬材料層(50)進行濕蝕刻后，對應光阻塊(63)形成金屬塊(53)；

所述步驟S4對光阻圖案(60)進行灰化后，所述光阻塊(63)的第一部分(631)的厚度被減薄，所述光阻塊(63)的第二部分(632)被去除；

所述步驟S5以經過灰化的光阻圖案(60)為遮擋對經過濕蝕刻的金屬材料層(50)再次進行濕蝕刻后，所述金屬塊(53)未被所述光阻塊(63)的第一部分(631)覆蓋的部分被去除，形成間隔的源漏極(54)。

5.如權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述半導體層(40)包括第一半導體層(41)及設于第一半導體層(41)上的第二半導體層(42)，所述第二半導體層(42)為經過離子摻雜的半導體材料層；

所述陣列基板的制作方法還包括步驟S6、以經過灰化的光阻圖案(60)為遮擋對經過干蝕刻的半導體層(40)再次進行干蝕刻，去除所述第二半導體層(42)未被光阻塊(63)的第一部分(631)遮擋的部分。

6.如權利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S6之后還包括對灰化后的光阻圖案(60)進行去除的步驟。

7.如權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一光阻條(61)的厚度等于光阻塊(63)的第一部分(631)的厚度，所述第二光阻條(62)的厚度等于光阻塊(63)的第二部分(632)的厚度。

8.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述光罩為半色調光罩或灰階光罩。

9.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板應用于液晶顯示裝置或有機發光二極管顯示裝置。