[發明專利]離子布植的方法

在審

• 申請號: 201810264504.2
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN108807121A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 史蒂芬·R·瓦爾特
• 申請（專利權）人: 漢辰科技股份有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01L21/265
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 徐偉

1.一種使用多重幾何方向將離子布植至一芯片的方法，包含:

獲得一內建參數；

決定一曝光計數；

獲得一第一布值參數集合；

產生一多重幾何方向布值曝光序列，其是根據該曝光計數、該內建參數與該第一布植參數集合，在此該多重幾何方向布值曝光序列包含多數個曝光步驟；以及

布植離子至該芯片，其是根據該多重幾何方向布值曝光序列；

在此，每一個該曝光步驟指定用以布植離子的一離子束的一劑量百分比、一晶圓角度與一晶圓方向。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該內建參數包含在該離子布植被使用的一離子種類、該離子束的一能量、一總劑量以及一內建晶圓方向。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，該第一布植參數集合包含該晶圓的一標靶溫度和一劑量比例。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該第一布植參數集合是取用自一存儲器。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該第一布植參數集合是根據一用戶輸入被指定。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，當布植離子的步驟是被執行在一連續步驟，該布植離子步驟更包含:

在每個曝光步驟之間執行該劑量百分比、該晶圓角度和該晶圓方向的一內插；以及

根據該內插布植離子。

7.一種使用多重幾何方向將離子布植至一芯片的方法，包含:

獲得一內建參數；

決定一曝光計數；

獲得一第一布值參數集合；

決定一方向模式，在此該方向模式包含一第一晶圓方向和一第二晶圓方向；

產生一多重幾何方向布值曝光序列，其是根據該曝光計數、該內建參數、該第一布植參數集合與該方向模式，在此該多重幾何方向布值曝光序列包含對應到該第一晶圓方向的第一多數曝光步驟的一第一陣列以及對應到該第二晶圓方向的第二多數曝光步驟的一第二陣列；以及

布植離子至該芯片，其是根據該多重幾何方向布值曝光序列；

在此，每一個該曝光步驟指定用以布植離子的一離子束的一劑量百分比、一晶圓角度與該晶圓方向。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，該內建參數包含在該離子布植被使用的一離子種類、該離子束的一能量、一總劑量以及一內建晶圓方向。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，該第一布植參數集合包含該晶圓的一標靶溫度和一劑量比例。

10.如權利要求7所述的方法，其特征在于，該第一布植參數集合是取用自一存儲器。

11.如權利要求7所述的方法，其特征在于，該第一布植參數集合是根據一用戶輸入被指定。

12.如權利要求7所述的方法，其特征在于，當布植離子的該步驟是被執行在一連續模式，該布植離子步驟更包含:

在每個曝光步驟之間執行該劑量百分比、該晶圓角度和該晶圓方向的一內插；以及

根據該內插布植離子。

13.如權利要求7所述的方法，其特征在于，當該方向模式包含一雙重模式，該第一晶圓方和該第二晶圓方向是借由該晶圓的一第一轉動而不同，而且該第一多數曝光步驟和該第二多數曝光步驟指定劑量百分比與晶圓角度的一相同序列。

14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，該晶圓的該第一轉動包含轉動該晶圓方向180度。