[發明專利]固體電解質材料及其制造方法有效
| 申請號： | 201810264143.1 | 申請日： | 2018-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN108695549B | 公開（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發明（設計）人： | 菅野了次;堀智 | 申請（專利權）人： | 國立大學法人東京工業大學;豐田自動車株式會社 |
| 主分類號： | H01M10/0562 | 分類號： | H01M10/0562;H01M10/052;H01M10/058 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 陳冠欽 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 固體 電解質 材料 及其 制造 方法 | ||
1.固體電解質材料，其特征在于，包含由組成式Li4-4y-xP4+1+y-xP5+xS4-zOz表示的硫化物系組合物，其中0.6≤x＜1、0＜z≤0.2、-0.025≤y≤0.1。
2.權利要求1所述的固體電解質材料，其特征在于，在使用了CuKα射線的X射線衍射測定中的2θ＝29.58°±0.50°的位置具有峰，在使用了CuKα射線的X射線測定中的2θ＝27.33°±0.50°的位置不具有峰，或者在上述2θ＝27.33°±0.50°的位置具有峰的情況下，將上述2θ＝29.58°±0.50°的峰的衍射強度設為IA、將上述2θ＝27.33°±0.50°的峰的衍射強度設為IB時，IB/IA的值為小于0.50。
3.權利要求1或2所述的固體電解質材料，其特征在于，在使用了CuKα射線的X射線衍射測定中的2θ＝17.90°±0.20°、29.0°±0.50°、29.75°±0.25°的位置具有峰，在使用了CuKα射線的X射線衍射測定中的2θ＝18.50°±0.20°的位置不具有峰，或者在上述2θ＝18.50°±0.20°的位置具有峰的情況下，將上述2θ＝17.90°±0.20°的峰的衍射強度設為IC、將上述2θ＝18.50°±0.20°的峰的衍射強度設為ID時，ID/IC的值為小于0.50。
4.權利要求1或2所述的固體電解質材料，其特征在于，在使用了CuKα射線的X射線衍射測定中的2θ＝18.0°±0.1°、19.4°±0.1°、21.9°±0.1°、24.0°±0.1°、31.3±0.1°的位置具有峰。
5.權利要求1或2所述的固體電解質材料，其特征在于，在使用了CuKα射線的X射線衍射測定中的2θ＝17.8°±0.1°、19.1°±0.1°、21.7°±0.1°、23.8°±0.1°、30.85±0.1°的位置具有峰。
6.權利要求1或2所述的固體電解質材料，其特征在于，離子傳導率為0.4mS/cm以上。
7.固體電解質材料的制造方法，其為權利要求1～6的任一項所述的固體電解質材料的制造方法，其特征在于，具有：
離子傳導性材料合成工序，使用P的單質及化合物、S化合物、Li化合物以及O化合物作為含有上述硫化物系組合物的構成成分的原料，合成離子傳導性材料；和
加熱工序，通過對上述離子傳導性材料進行加熱，得到上述硫化物系組合物。
8.權利要求7所述的固體電解質材料的制造方法，其特征在于，上述加熱工序中的加熱溫度在230℃～300℃的范圍內。
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