[發明專利]半導體器件和制造方法

有效

• 申請號: 201810263929.1
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN109216215B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 黃冠育;吳志偉;郭立中;李隆華;黃松輝;施應慶;李百淵
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

為了防止在半導體管芯接合至其它襯底之后在半導體管芯的拐角處出現裂縫，鄰近半導體管芯的拐角形成開口，并且用緩沖材料填充和過填充開口，其中，緩沖材料的物理特性介于半導體管芯和鄰近緩沖材料放置的底部填充材料的物理特性之間。本發明實施例涉及一種半導體器件和制造方法。

技術領域

本發明實施例涉及一種半導體器件和制造方法。

背景技術

半導體器件用于諸如個人電腦、手機、數碼相機和其它電子設備的各種電子應用中。通常通過在半導體襯底上方依次沉積絕緣或介電層、導電層和半導體材料層以及使用光刻和蝕刻工藝圖案化各個材料層以在各個材料層上形成電路組件和元件來制造半導體器件。

半導體工業通過不斷減小器件尺寸以及減小器件之間的間隔持續地改進各個電子組件(例如，半導體管芯、芯片、襯底等)的集成密度，這允許更多的組件集成至給定的區域。然而，隨著尺寸的減小，組件在如何接合和操作方面出現額外的問題，并且這些額外的問題應該被解決。

發明內容

根據本發明的一些實施例，提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：沿著半導體管芯的外邊緣形成開口；用緩沖材料過填充所述開口的至少部分；以及鄰近所述緩沖材料放置底部填充材料。

根據本發明的另一些實施例，還提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：部分地分割第一晶圓以在所述第一晶圓內形成第一開口，所述第一晶圓包括第一材料的半導體襯底，所述第一材料的第一特性具有第一值，其中，所述第一開口至少部分地延伸至第一半導體器件和第二半導體器件內；用緩沖材料填充所述第一開口的至少部分，所述緩沖材料的所述第一特性具有與所述第一值不同的第二值；在填充所述第一開口之后，完全地分割所述第一晶圓，其中，在完全地分割所述第一晶圓之后，所述緩沖材料保留在所述第一半導體器件上方的所述第一開口內；將所述第一半導體器件接合至襯底；以及將底部填充材料分配在所述第一半導體器件和所述襯底之間，其中，所述底部填充材料的所述第一特性具有第三值，所述第二值介于所述第一值和所述第三值之間。

根據本發明的又一些實施例，還提供了一種半導體器件，包括：第一半導體器件，所述第一半導體器件包括第一外部連接件；緩沖材料，沿著所述第一半導體器件的外邊緣；以及底部填充材料，從所述第一半導體器件的側壁、所述緩沖材料周圍延伸至所述緩沖材料和所述第一外部連接件之間的點。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1示出了根據一些實施例的具有第一半導體器件和第二半導體器件的晶圓。

圖2A至圖2B示出了根據一些實施例的緩沖材料的放置。

圖3示出了根據一些實施例的晶圓100的分割。

圖4示出了根據一些實施例的第一半導體器件與第二襯底的接合。

圖5示出了根據一些實施例的底部填充物的放置。

圖6示出了根據一些實施例的第二襯底與第三襯底的接合。

圖7示出了根據一些實施例的具有平坦底面的開口。

圖8示出了根據一些實施例的具有平坦底面的緩沖材料的放置。

圖9示出了根據一些實施例的晶圓的分割。

圖10示出了根據一些實施例的第一半導體管芯與第二襯底和第三襯底的接合。

圖11示出了根據一些實施例的同時分割和拐角圓化工藝。

圖12示出了根據一些實施例的分割工藝之后的單獨的拐角圓化工藝。