[發(fā)明專利]一種LSPR可調(diào)的Ag/Cu2S共濺射SERS活性基底及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810262901.6
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN108459006A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊景海;張馨元;陳雷;劉洋;張永軍;王雅新
• 申請（專利權(quán)）人: 吉林師范大學
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司 22201
• 代理人: 李泉宏

1.一種LSPR可調(diào)的Ag/Cu₂S共濺射SERS活性基底，其特征在于，該基底為貴金屬Ag與半導體Cu₂S復合的材料，所述復合材料的形貌為緊密排列、均勻規(guī)則的球形顆粒陣列，粒徑大小為200nm；Ag與Cu₂S的復合摩爾比為1:14～10。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LSPR可調(diào)的Ag/Cu₂S共濺射SERS活性基底，其特征在于，Ag與Cu₂S的復合摩爾比為1:10。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LSPR可調(diào)的Ag/Cu₂S共濺射SERS活性基底，其特征在于，Ag與Cu₂S的復合摩爾比為1:12。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LSPR可調(diào)的Ag/Cu₂S共濺射SERS活性基底，其特征在于，Ag與Cu₂S的復合摩爾比為1:14。

5.一種如權(quán)利要求所述的LSPR可調(diào)的Ag/Cu₂S共濺射SERS活性基底的制備方法，具體步驟如下：1)硅片置于濃度為1-3％的十二烷基硫酸鈉溶液中浸泡24小時以上，使表面改性，以做下一步應用；

2)另取硅片切至尺寸為1×1cm²，放入燒杯中進行清洗，即取氨水：過氧化氫：去離子水體積比為1:2:6，倒入燒杯，放在烤膠臺上加熱200-300℃，時間控制在8-10min，冷卻后倒出液體，再逐次加入去離子水和無水乙醇超聲10-20min，超聲過程重復3-5次，放入無水乙醇中留用；

3)取200nm聚苯乙烯小球與無水乙醇混合，比例調(diào)控在1:0.8-1.2之間，超聲使分散均勻；

4)取一大型器皿并裝滿水，待液面平穩(wěn)后開始下一步驟；

5)將聚苯乙烯小球乙醇溶液滴在改性后的硅片上，傾斜放置，使液體擴散均勻，隨即將其傾斜緩慢地插入平穩(wěn)后的水面，使表面的聚苯乙烯小球乙醇溶液置于水面；

6)用洗好的硅片緩慢撈取，隨即將其傾斜放置，至水完全干后留用；

7)將上一步驟中小塊硅片放在磁控濺射腔體內(nèi)，抽真空后，使其背景氣壓達到10^-6mTorr以下，設(shè)置工作氣壓為6×10^-3m Torr，Ag和Cu₂S的濺射功率分別為5-20W和50-90W，濺射時間為20-30min；得到所述的LSPR可調(diào)的Ag/Cu₂S共濺射SERS活性基底。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LSPR可調(diào)的Ag/Cu₂S共濺射SERS活性基底的制備方法，其特征在于，Ag和Cu₂S的濺射功率分別為5W和50W，濺射時間為30min。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LSPR可調(diào)的Ag/Cu₂S共濺射SERS活性基底的制備方法，其特征在于，Ag和Cu₂S的濺射功率分別為5W和60W，濺射時間為30min。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LSPR可調(diào)的Ag/Cu₂S共濺射SERS活性基底的制備方法，其特征在于，Ag和Cu₂S的濺射功率分別為5W和70W，濺射時間為30min。