[發明專利]一種TDD-LTE信號下行自激檢測方法及系統

在審

• 申請號: 201810261995.5
• 申請日: 2018-03-27
• 公開（公告）號: CN108599875A
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 趙棟;麻艷;黃利;吳建建;蘇宇杰
• 申請（專利權）人: 廣州杰賽科技股份有限公司
• 主分類號: H04B17/10
• 分類號: H04B17/10;H04B1/525
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 梁順宜;郝傳鑫

1.一種TDD-LTE信號下行自激檢測方法，其特征在于，包括以下步驟：

獲取下行射頻模塊向第一射頻開關傳輸的第一TDD-LTE下行信號，并根據所述第一TDD-LTE下行信號輸出第一電壓模擬信號；

將根據所述第一電壓模擬信號獲取的所述第一TDD-LTE下行信號的最小功率與預設功率閾值進行比較，以輸出控制信號；

當所述控制信號為關閉控制信號時，控制連接電源電路的開關模塊斷開，以關閉所述下行射頻模塊的電源。

2.根據權利要求1所述的TDD-LTE信號下行自激檢測方法，其特征在于，所述將根據所述第一電壓模擬信號獲取的所述第一TDD-LTE下行信號的最小功率與預設功率閾值進行比較，以輸出控制信號，具體包括：

根據接收的所述第一電壓模擬信號采樣所述第一TDD-LTE下行信號的功率；其中，采樣間隔設為T，T＜20.3μs，采樣時間為10ms；

獲取采樣的所述第一TDD-LTE下行信號的功率中的最小功率；

當所述最小功率與預設功率閾值的差值大于0時，輸出關閉控制信號。

3.根據權利要求2所述的TDD-LTE信號下行自激檢測方法，其特征在于，所述預設功率閾值的設置包括：

在信號滿格寶安裝并調試成功，并在確保數據流量正常時：

獲取下行射頻模塊向所述第一射頻開關傳輸的第二TDD-LTE下行信號，并根據所述第二TDD-LTE下行信號輸出第二電壓模擬信號；

根據接收的所述第二電壓模擬信號采樣所述第二TDD-LTE下行信號的功率；其中，采樣間隔設為T，T＜20.3μs，采樣時間為10ms；

將采樣的所述第二TDD-LTE下行信號的功率中的最大功率設置為預設功率閾值。

4.根據權利要求2所述的TDD-LTE信號下行自激檢測方法，其特征在于，還包括：

接收調制解調器傳輸的下行切換信號，并根據所述下行切換信號切換所述第一射頻開關與第二射頻開關，以切換到所述下行射頻模塊；

獲取通過所述第二射頻開關傳輸的所述第三TDD-LTE下行信號，通過所述下行射頻模塊對所述第三TDD-LTE下行信號進行射頻信號處理，以生成所述第一TDD-LTE下行信號。

5.根據權利要求4所述的TDD-LTE信號下行自激檢測方法，其特征在于，還包括：

接收所述調制解調器傳輸的上行切換信號，并根據所述上行切換信號切換所述第一射頻開關與所述第二射頻開關，以切換到上行射頻模塊；

獲取通過所述第一射頻開關傳輸的第一TDD-LTE上行信號，通過上行射頻模塊對所述第一TDD-LTE上行信號進行射頻信號處理，以生成第二TDD-LTE上行信號；

通過所述上行射頻模塊將所述第二TDD-LTE上行信號發送給第二射頻開關；

則所述當所述控制信號為關閉控制信號時，控制連接電源電路的開關模塊斷開，以關閉所述下行射頻模塊的電源，具體為：

當所述控制信號為關閉控制信號時，控制連接電源電路的開關模塊斷開，以關閉所述下行射頻模塊及所述上行射頻模塊的電源。

6.根據權利要求1至5任意一項所述的TDD-LTE信號下行自激檢測方法，其特征在于，所述開關模塊為功率MOS場效應晶體管。

7.根據權利要求6所述的TDD-LTE信號下行自激檢測方法，其特征在于，所述電源電路包括開關電源電路、穩壓電源電路、穩流電源電路、功率電源電路、逆變電源電路、DC-DC電源電路及保護電源電路中的任意一種。