[發(fā)明專利]一種低應力致密涂層的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810261975.8
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN108411265A
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發(fā)明（設計）人: 張旭海;陳龍;鄭云西;肖靜才;曾宇喬;朱奎;季寶榮;盧倩文;楊志;李娟;蔣建清
• 申請（專利權(quán)）人: 東南大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/16
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種低應力致密涂層制備方法，其特征在于，該制備方法包括以下步驟：

步驟一.將工件清洗干凈，放入真空室抽真空至6X10^-4Pa以上，通入惰性氣體氬氣，偏壓為-800V至-1000V，刻蝕所述工件表面10分鐘-60分鐘；

步驟二.通入惰性氣體氬氣，濺射中間層Ti或Cr，厚度100nm-500nm；

步驟三.通入氬氪、氬氙、氪氙或氬氪氙惰性氣體的混合氣體，濺射所需沉積涂層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低應力致密涂層制備方法，其特征在于，所述的所需沉積涂層是氧化物、氮化物或碳化物的陶瓷類涂層，還需相應通入反應類氣體，如氧氣、氮氣、甲烷等。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低應力致密涂層制備方法，其特征在于，所述的所需沉積涂層成分含有Ti、Zn、Y、Ca、Sc、Sr或稀土元素的涂層濺射，氬氣含量范圍為0％-20％，氪氣含量范圍為0％-20％，氙氣含量范圍為60％-100％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低應力致密涂層制備方法，其特征在于，所述的所需沉積涂層成分含有Mg、V、Cr、Mn、Nb、Tc或Sn的濺射沉積過程，氬氣含量范圍為0％-20％，氪氣含量范圍為20％-100％，氙氣含量范圍為1％-100％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低應力致密涂層制備方法，其特征在于，所述的所需沉積涂層中無Ti、Zn、Y、Ca、Sc、Sr、Mg、V、Cr、Mn、Nb、Tc、Sn或稀土元素的涂層，氬氣含量范圍為60％-99％，氪氣含量范圍為1％-20％，氙氣含量范圍為0％-20％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低應力致密涂層制備方法，其特征在于，所述的在濺射沉積涂層過程中，氣體離化率應大于10％，偏壓范圍為-10V至-50V。