[發(fā)明專(zhuān)利]一種非對(duì)稱(chēng)線性峰值摻雜的黑磷場(chǎng)效應(yīng)管在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810261673.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-03-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108493250A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-09-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈志豪;江斌;趙劍飛;王偉 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 南京郵電大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L29/78 | 分類(lèi)號(hào): | H01L29/78;H01L29/10;B82Y10/00 |
| 代理公司: | 南京蘇高專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 呂朦 |
| 地址: | 210003 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 摻雜的 非對(duì)稱(chēng) 溝道 黑磷 柵極氧化層 本征導(dǎo)電 場(chǎng)效應(yīng)管 導(dǎo)電溝道 未摻雜 漏區(qū) 源區(qū) 開(kāi)關(guān)電流比 傳統(tǒng)結(jié)構(gòu) 帶間隧穿 電流比率 金屬電極 隧穿效應(yīng) 源/漏區(qū) 固定的 漏電流 再沉淀 減小 漏極 源極 延遲 摻雜 | ||
1.一種非對(duì)稱(chēng)線性峰值摻雜的黑磷場(chǎng)效應(yīng)管,其特征在于,包括:非對(duì)稱(chēng)線性峰值摻雜的導(dǎo)電溝道(2)、未摻雜的本征導(dǎo)電溝道(3)、源區(qū)(1)、漏區(qū)(4)、柵極氧化層(5)、源極(6)、漏極(7)、柵極(8);非對(duì)稱(chēng)線性峰值摻雜的導(dǎo)電溝道(2)、未摻雜的本征導(dǎo)電溝道(3)、源區(qū)(1)、漏區(qū)(4)采用一根本征半導(dǎo)體黑磷制作而成;對(duì)本征半導(dǎo)體黑磷的兩端采用分子或金屬離子進(jìn)行第一雜質(zhì)重?fù)诫s后,分別作為源區(qū)(2)和漏區(qū)(3),本征半導(dǎo)體黑磷的中間部分分為兩部分,靠近源極(6)的部分作為非對(duì)稱(chēng)線性峰值摻雜的導(dǎo)電溝道(2),靠近漏極(7)的部分作為未摻雜的本征導(dǎo)電溝道(3),非對(duì)稱(chēng)線性峰值摻雜導(dǎo)電溝道(2)通過(guò)第二雜質(zhì)摻雜逐漸摻雜,摻雜濃度從源極(6)側(cè)向黑磷中間線性減小;在非對(duì)稱(chēng)線性峰值摻雜的導(dǎo)電溝道(2)、未摻雜的本征導(dǎo)電溝道(3)、源區(qū)(1)、漏區(qū)(4)外生成一層?xùn)艠O氧化層(5),在柵極氧化層(5)外再沉淀一層金屬電極,作為柵極(8);在位于源區(qū)(2)和漏區(qū)(3)之上的柵極氧化層(5)上分別刻蝕一源極引線孔和漏極引線孔,在該源極引線孔內(nèi)制備所述的源極(6),在漏極引線孔內(nèi)制備所述的漏極(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非對(duì)稱(chēng)線性峰值摻雜的黑磷場(chǎng)效應(yīng)管,其特征在于,非對(duì)稱(chēng)線性峰值摻雜導(dǎo)電溝道(2)靠近源區(qū)(2)側(cè)的摻雜濃度為最大水平,遠(yuǎn)離源區(qū)(2)側(cè)的濃度為零。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非對(duì)稱(chēng)線性峰值摻雜的黑磷場(chǎng)效應(yīng)管,其特征在于,源區(qū)(2)和漏區(qū)(3)為N型重?fù)诫s,非對(duì)稱(chēng)線性峰值摻雜的導(dǎo)電溝道(2)為P型摻雜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非對(duì)稱(chēng)線性峰值摻雜的黑磷場(chǎng)效應(yīng)管,其特征在于,非對(duì)稱(chēng)線性峰值摻雜的導(dǎo)電溝道(2)與未摻雜的本征導(dǎo)電溝道(3)構(gòu)成完整導(dǎo)電溝道。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非對(duì)稱(chēng)線性峰值摻雜的黑磷場(chǎng)效應(yīng)管,其特征在于,非對(duì)稱(chēng)線性峰值摻雜的導(dǎo)電溝道(2)與未摻雜的本征導(dǎo)電溝道(3)橫向長(zhǎng)度相等。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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