[發明專利]一種控制電路、功率放大電路及控制方法

有效

• 申請號: 201810260419.9
• 申請日: 2018-03-27
• 公開（公告）號: CN108566165B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 李詠樂;蘇強;奕江濤
• 申請（專利權）人: 尚睿微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F3/195;H03F3/213
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 王軍紅;張穎玲

本發明公開了一種控制電路，應用于功率放大電路，所述功率放大電路包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管；所述第三晶體管經由電感與供電電源直接相連；所述控制電路包括：波形整形電路，用于利用功率放大電路的基準電壓控制信號產生第一電流，將第一電流與參考電流值進行比較，得到第二電流；利用所述第二電流產生鏡像電流，再利用鏡像電流得到第一柵極電壓；所述第一柵極電壓用于第二晶體管控制第一晶體管對輸入信號進行放大得到輸出信號；電壓生成電路，用于利用所述第一柵極電壓生成第二柵極電壓，并利用所述第二柵極電壓控制第三晶體管輸出滿足穩定輸出特性的所述輸出信號。本發明同時還公開了一種功率放大電路以及控制方法。

技術領域

本發明涉及功率放大電路，尤其涉及一種控制電路、功率放大電路及控制方法。

背景技術

目前，隨著絕緣襯底上的硅(SOI，Silicon On Insulator)工藝越來越成熟，利用SOI工藝實現射頻功率放大器(PA，Power Amplifier)越來越具備成本優勢。全球移動通信系統(GSM，Global System for Mobile Communication)功率放大器屬于射頻功率放大器的一種，在現有常用的GSM射頻功率放大器的功率控制電路中，通常，基準控制電壓VRAMP通過低壓差穩壓器(LDO，Low DropOut regulator)對GSM射頻功率放大器的集電極電壓進行控制，進而實現對GSM射頻功率放大器輸出功率的控制，LDO包括誤差放大器和功率晶體管。

但是，目前通過LDO實現對GSM射頻功率放大器輸出功率的控制，由于實現LDO的功率晶體管會產生電壓降，致使GSM射頻功率放大器的集電極電壓Vout總小于電源電壓VBAT，進而減小了GSM射頻功率放大器的最大輸出功率，降低了GSM射頻功率放大器的效率。

目前，需要找到一種提高射頻功率放大器的最大輸出功率和效率的技術方案。

發明內容

為解決現有存在的技術問題，本發明實施例提供一種控制電路、功率放大電路及控制方法。

本發明實施例的技術方案是這樣實現的：

本發明實施例提供一種控制電路，應用于功率放大電路，所述功率放大電路包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管；所述第三晶體管經由電感與供電電源直接相連；所述控制電路包括：

波形整形電路，用于利用功率放大電路的基準電壓控制信號產生第一電流，將第一電流與參考電流值進行比較，得到第二電流；利用所述第二電流產生鏡像電流，再利用鏡像電流得到第一柵極電壓；所述第一柵極電壓用于第二晶體管控制第一晶體管對輸入信號進行放大得到輸出信號；

電壓生成電路，用于利用所述第一柵極電壓生成第二柵極電壓，并利用所述第二柵極電壓控制第三晶體管輸出滿足穩定輸出特性的所述輸出信號。

上述方案中，所述電壓生成電路，具體用于利用所述第一柵極電壓以及至少一個電阻和一個電流源，生成至少一個第二柵極電壓；每個第二柵極電壓控制一個第三晶體管并輸出滿足穩定輸出特性的所述輸出信號。

上述方案中，所述電流源為恒定電流源，或者與供電電源成負相關的壓控電流源。

本發明實施例提供一種功率放大電路，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、控制電路；其中，

所述第一晶體管的漏極與第二晶體管的源極相連；所述第三晶體管的漏極經由電感與供電電源直接相連；

所述第二晶體管，用于控制第一晶體管對功率放大電路的輸入信號進行放大得到輸出信號，并向第三晶體管輸出所述輸出信號；