[發(fā)明專利]提高MST驅(qū)動器傳輸效率的方法及用于其的驅(qū)動器裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810259880.2
• 申請日: 2018-03-27
• 公開（公告）號: CN108736719B
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林智洙;楚大烈;金炳熹;李真宇;李龍熙
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞尼斯股份有限公司
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158;H02M3/157
• 代理公司: 北京安信方達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 趙瀛;王漪

提供一種方法，當(dāng)流經(jīng)MST線圈的電流大于預(yù)先決定的值時，使得驅(qū)動所述MST線圈的全橋電路無法提供電流，從而與供應(yīng)給所述全橋電路的電壓大小無關(guān)地限制通過所述MST線圈流動的電流量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及驅(qū)動MST線圈的MST驅(qū)動器電子裝置，特別是涉及限制流經(jīng)MST線圈的電流大小的技術(shù)。

背景技術(shù)

在移動電話中，構(gòu)成利用MST(Magnetic stripe Transmission，磁條傳輸)傳遞信息的TX(Transmitter，發(fā)射器)的開關(guān)的連接形狀，具有橋連結(jié)構(gòu)的形態(tài)。通過調(diào)節(jié)所述開關(guān)的開啟/關(guān)閉，調(diào)節(jié)流經(jīng)MST線圈的線圈電流的方向及持續(xù)時間。

圖1是根據(jù)以往技術(shù)顯示流經(jīng)MST線圈的線圈電流與RX裝置接收的感知電壓的關(guān)系的時序圖。

在圖1的(a)、(b)中，圖表511、512的縱軸代表相應(yīng)圖表顯示的物理量大小，橫軸代表時間。圖1的(a)所示的圖表511顯示通過電感器，即通過所述MST線圈流動的線圈電流，圖1的(b)所示的圖表512顯示根據(jù)MST接收器的檢測頭檢測的信號而從所述檢測頭輸出的電壓。

根據(jù)以往的方式，如圖1的(a)所示，通過MST線圈流動的線圈電流由上升區(qū)域(RT,rise time)、下降區(qū)域(FT,falling time)及常數(shù)區(qū)域(DC成分，DCT)構(gòu)成。

在RX(Receiver，接收器)中，如圖1的(b)所示，檢測去除了所述DC成分的波形并判讀信息。所述線圈電流具有常數(shù)值的區(qū)域(DCT)實質(zhì)上無法對RX的檢測值產(chǎn)生有益影響。圖1的(b)所示的圖表512的大小會與圖1的(a)所示圖表511大小的時間上的微分值成比例。因此，需要通過所述MST線圈流動的線圈電流的大小變化急劇的時間區(qū)間，在所述變化急劇的時間區(qū)間之間，需要沒有所述線圈電流大小變化或變化緩慢。

圖2顯示了以往技術(shù)的包括MST線圈及MST線圈驅(qū)動器的電路。

圖3顯示了圖2所示電路各節(jié)點的電壓及線圈電流相關(guān)值的時序圖。圖3的橫軸為時間軸。

圖3的(a)顯示了輸入于作為所述MST線圈驅(qū)動器輸入節(jié)點的節(jié)點AIN、BIN的電壓，在圖3的(a)的圖表中，提示出與邏輯高電平及邏輯低電平對應(yīng)的數(shù)字電壓值。

圖3的(b)顯示了從作為所述MST線圈驅(qū)動器輸入節(jié)點的節(jié)點AOUT、BOUT輸出的電壓，在圖3的(b)的圖表中，提示出模擬電壓值。

在圖3的(c)中，圖示了關(guān)于通過圖2的MST線圈(L1)流動的線圈電流(Icoil)的電流大小。圖3的圖表是根據(jù)MOSFET(場效應(yīng)晶體管)M1、M2、M3及M4的開啟/關(guān)閉狀態(tài)而提示的。在圖3中，當(dāng)MOSFET(場效應(yīng)晶體管)M1、M4為開啟狀態(tài)時，MOSFET(場效應(yīng)晶體管)M2、M3為關(guān)閉狀態(tài)，當(dāng)MOSFET(場效應(yīng)晶體管)M1、M4為關(guān)閉狀態(tài)時，MOSFET(場效應(yīng)晶體管)M2、M3為開啟狀態(tài)。在圖3中記載為Forward(向前)的區(qū)間，MOSFET(場效應(yīng)晶體管)M1、M4為開啟狀態(tài)，MOSFET(場效應(yīng)晶體管)M2、M3為關(guān)閉狀態(tài)。而且，在圖3中記載為reverse(倒轉(zhuǎn))的區(qū)間，MOSFET(場效應(yīng)晶體管)M1、M4為關(guān)閉狀態(tài)，MOSFET(場效應(yīng)晶體管)M2、M3為開啟狀態(tài)。

在圖3中記載為“Forward(向前)”的時間區(qū)間的線圈電流流動，沿著VM→M1→L1→M4的路徑進行，在記載為“Reverse(倒轉(zhuǎn))”的時間區(qū)間的線圈電流流動沿著VM→M3→L1→M2的路徑進行。