[發明專利]一種可控圖案化電學器件的制備方法

有效

• 申請號: 201810259584.2
• 申請日: 2018-03-27
• 公開（公告）號: CN110310964B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 吳雨辰;劉蕓;江雷
• 申請（專利權）人: 北京賽特超潤界面科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京方安思達知識產權代理有限公司 11472
• 代理人: 陳琳琳;張紅生

1.一種可控圖案化電學器件的制備方法，所述制備方法包括以下步驟：

1)在平板基底上采用氣相法真空濺射圖案化親水電極；

2)將蒸鍍了圖案化親水電極的平板基底在硫醇中浸泡10-50h，取出清洗，吹干；

3)采用光刻法制備具有微柱結構的基底；

4)將有機分子溶液直接滴加在具有微柱結構的基底上并蓋上蒸鍍了圖案化親水電極的平板基底，蒸鍍了圖案化親水電極的平板基底上具有親水電極的一面朝向溶液，并且親水電極的取向與微柱取向相交，構筑成三明治組裝體系，隨著退浸潤過程的進行，在親水電極之間搭建形成排列規整的有機分子一維結構陣列，即得到可控圖案化電學器件；

所述圖案化親水電極的圖案為三角形、四邊形、五邊形、六邊形和圓形中的一種或多種；

步驟4)中，有機分子一維結構陣列的長度為2微米到50微米，寬度為100納米到2微米，高度為20納米到1微米。

2.根據權利要求1所述可控圖案化電學器件的制備方法，其特征在于，步驟1)中，親水電極的厚度是50-200nm，在濺射親水電極之前需要先濺射5-15nm鉻。

3.根據權利要求1所述可控圖案化電學器件的制備方法，其特征在于，步驟1)所述平板基底為氧化銦錫膜或導電硅片。

4.根據權利要求1所述可控圖案化電學器件的制備方法，其特征在于，所述親水電極為金電極或鉻電極。

5.根據權利要求1所述可控圖案化電學器件的制備方法，其特征在于，步驟2)所述硫醇為全氟硫醇，溶液百分濃度為5-15％。

6.根據權利要求1所述可控圖案化電學器件的制備方法，其特征在于，步驟3)中，具有微柱結構的基底中的基底為硅片或玻璃片。

7.根據權利要求1所述可控圖案化電學器件的制備方法，其特征在于，步驟3)中，具有微柱結構的基底中微柱結構的深度為1微米到20微米。

8.根據權利要求1所述可控圖案化電學器件的制備方法，其特征在于，步驟4)中，親水電極的取向與微柱取向相交呈垂直相交。