[發明專利]平板探測器及其制備方法有效
| 申請號: | 201810259475.0 | 申請日: | 2018-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN108470739B | 公開(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發明(設計)人: | 王鳳濤;張家祥;王亮;潘宗瑋 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/144 | 分類號: | H01L27/144;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 趙天月 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 平板 探測器 及其 制備 方法 | ||
本發明提供了平板探測器及其制備方法。其中,平板探測器包括:襯底;薄膜晶體管,所述薄膜晶體管設置在所述襯底的第一表面上;第一電極,所述第一電極設置在所述第一表面上,且與所述薄膜晶體管的柵極同層設置;光電轉換膜層,所述光電轉換膜層設置在所述第一電極與所述薄膜晶體管的漏極之間并與所述第一電極和所述漏極電連接。發明人發現,該平板探測器結構簡單,易于實現,厚度較薄,薄膜晶體管的柵極與第一電極同層設置可以簡化結構,節省工藝步驟,并且將光電轉換膜層設置在第一電極與漏極之間也可以從整體上減少工藝步驟,從而可以大大提高工廠的產能,同時該平板探測器的良率較高,在運輸或者使用過程中可以有效防止被劃傷。
技術領域
本發明涉及光電轉換技術領域,具體的,涉及平板探測器及其制備方法。
背景技術
平板探測器尤其是非晶硅二極管平板探測器由于易大尺寸、高分辨率、高靈敏度、低噪聲而獲得大量客戶的偏愛,但是傳統的制備平板探測器的工藝都是通過多次掩模(MASK)工藝才能完成,制備過程較為復雜,成本較高,這大大影響了工廠的產能,而且也會影響產品的良率。
因而,目前的平板探測器仍有待改進。
發明內容
本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此,本發明的一個目的在于提出一種結構簡單、易于實現、良率較高或者可以通過較少的MASK即可制備得到的平板探測器。
在本發明的一個方面,本發明提供了一種平板探測器。根據本發明的實施例,該平板探測器包括:襯底;薄膜晶體管,所述薄膜晶體管設置在所述襯底的第一表面上;第一電極,所述第一電極設置在所述第一表面上,且與所述薄膜晶體管的柵極同層設置;光電轉換膜層,所述光電轉換膜層設置在所述第一電極與所述薄膜晶體管的漏極之間并與所述第一電極和所述漏極電連接。發明人發現,該平板探測器結構簡單,易于實現,厚度較薄,薄膜晶體管的柵極與第一電極同層設置可以簡化結構,節省工藝步驟,并且將光電轉換膜層設置在第一電極與漏極之間也可以減少工藝步驟,從而可以大大提高工廠的產能,同時該平板探測器的良率較高,在運輸或者使用過程中可以有效防止被劃傷。
根據本發明的實施例,該平板探測器還包括:透明電極,所述透明電極設置在所述光電轉換膜層靠近所述第一電極的表面上,且所述光電轉換膜層在所述襯底上的正投影和所述透明電極在所述襯底上的正投影存在重疊區域,所述重疊區域與所述第一電極在所述襯底上的正投影至少部分不重疊。由此,可以有效增大光電轉換膜層接收光線的面積,使得其感應到的光信號較為全面,光電轉換效率較高,且透明電極與光電轉換膜層的接觸面積較大,可以有效收集光電轉換膜層的電信號并將其輸送到第一電極,收集的電信號的完整性和全面性好,使得平板探測器的靈敏度較高,使用性能較佳。
根據本發明的實施例,所述透明電極在所述襯底上的正投影覆蓋所述光電轉換膜層在所述襯底上的正投影。由此,透明電極可以收集幾乎全部光電轉換膜層上的電信號,使得平板探測器的靈敏度更高,使用性能更佳。
根據本發明的實施例,所述透明電極和所述光電轉換膜層的形狀一致。由此,可以利用同一張掩膜版制備透明電極和光電轉換膜層,減少MASK的使用,簡化工藝步驟,有效提高工廠的產能。
根據本發明的實施例,該平板探測器還包括:第二電極,所述第二電極與所述薄膜晶體管的源極和漏極同層設置,且所述第二電極與所述第一電極電連接。由此,結構簡單,易于實現,在制備過程中可以簡化工藝步驟,有效提高工廠的產能,并且良率較高。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





