[發明專利]基于鍍膜摻雜半導體的太赫茲寬帶吸收器有效
| 申請號： | 201810258237.8 | 申請日： | 2018-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN108761587B | 公開（公告）日： | 2021-07-20 |
| 發明（設計）人： | 石風華;陳溢杭 | 申請（專利權）人： | 華南師范大學 |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 廣州駿思知識產權代理有限公司 44425 | 代理人： | 吳靜芝 |
| 地址： | 510006 廣東省廣州市番禺區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 鍍膜 摻雜 半導體 赫茲 寬帶 吸收 | ||
1.基于鍍膜摻雜半導體的太赫茲寬帶吸收器，其特征在于：包括摻雜半導體層和鍍膜層，所述鍍膜層設于摻雜半導體層上方；
電磁波入射至所述鍍膜層，滿足以下條件：
振幅條件：|r|＝|ρ|，|r|和|ρ|分別為鍍膜層上、下界面的反射系數絕對值；|r|和|ρ|的計算公式分別為：其中，n0、nd和ns分別為電磁波入射環境、鍍膜層材料和摻雜半導體層材料的折射率；
相位條件：Φ＝φ(r)+φ(ρ)+δ＝2mπ，Φ表示電磁波在鍍膜層中的往返相位差，φ(r)和φ(ρ)分別表示電磁波在鍍膜層上、下界面的反射相位，δ表示電磁波在鍍膜層中往返引起的傳播相位差，m表示整數；
其中，所述鍍膜層上界面為電磁波入射環境與鍍膜層之間形成的界面，所述鍍膜層下界面為鍍膜層與摻雜半導體層之間形成的界面；
所述摻雜半導體層與鍍膜層的組合為以下四種中的任一種：
(1)所述摻雜半導體層為n型摻雜GaAs層，其摻雜濃度為3.1×1016cm-3，厚度為300μm，且所述鍍膜層為聚苯乙烯膜，其厚度為16μm；
(2)所述摻雜半導體層為n型摻雜GaAs層，其摻雜濃度為6×1016cm-3，厚度為300μm，且所述鍍膜層為聚苯乙烯膜，其厚度為13μm；
(3)所述摻雜半導體層為n型摻雜GaAs層，其摻雜濃度為10.3×1016cm-3，厚度為300μm，且所述鍍膜層為聚苯乙烯膜，其厚度為10μm；
(4)所述摻雜半導體層為n型摻雜Si層，其摻雜濃度為4×1016cm-3，厚度為300μm，且所述鍍膜層為聚乙烯膜，其厚度為22μm。
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