[發明專利]一種用于相變存儲器的Ge/Sb類超晶格相變薄膜材料的制備方法

有效

• 申請號: 201810257259.2
• 申請日: 2015-04-27
• 公開（公告）號: CN108598256B
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 胡益豐;朱小芹;吳世臣;鄒華;袁麗;吳衛華;張建豪;眭永興;沈大華
• 申請（專利權）人: 江蘇理工學院
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 常州市江海陽光知識產權代理有限公司 32214
• 代理人: 孫培英

1.一種用于相變存儲器的Ge/Sb類超晶格相變薄膜材料的制備方法，其特征在于所述Ge/Sb類超晶格相變薄膜材料的膜結構用通式[Ge(a)/Sb(b)]_x表示，其中a為單層Ge層的厚度， a=5nm；b為單層Sb層的厚度， b=1或3 nm；x為Ge層和Sb層的交替周期數，x=6或8，制備方法包括以下步驟：

①基片的準備，將基片洗凈烘干待用；

②磁控濺射的準備，將步驟①洗凈的待濺射的基片放置在基托上，將Ge和Sb作為濺射靶材分別安裝在磁控射頻濺射靶中，并將磁控濺射鍍膜系統的濺射腔室進行抽真空，使用高純氬氣作為濺射氣體；

③磁控濺射制備[Ge(a)/Sb(b)]_x多層復合薄膜，首先清潔Ge靶材和Sb靶材表面，清潔完畢后，將待濺射的SiO₂/Si（100）基片旋轉到Ge靶位；打開Ge靶位上的射頻電源，濺射結束后得到Ge層，Ge層濺射速率為1～2s/nm；Ge層濺射完成后，關閉Ge靶位上施加的直流電源，將已經濺射了Ge層的基片旋轉到Sb靶位，開啟Sb靶位上的射頻電源，濺射結束后得到Sb層，Sb層濺射速率為2～4s/nm；重復上述濺射Ge層和Sb層的操作至需要的薄膜厚度，濺射結束得到GeSb類超晶格相變薄膜材料。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟②中高純氬氣的體積百分比≥99.999%，Ar氣流量為25～35SCCM，氬氣濺射氣壓為0.28Pa～0.35Pa。