[發(fā)明專利]一種高壓高功率GaN基LED陣列芯片的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810257196.0
• 申請(qǐng)日: 2018-03-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108493306B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 康香寧;李誠(chéng)誠(chéng);陳志忠;焦飛;馮玉龍;詹景麟;于彤軍;沈波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京萬(wàn)象新悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11360
• 代理人: 賈曉玲

1.一種高壓高功率GaN基LED陣列芯片的制備方法，具體步驟如下：

1)GaN基外延片上蒸鍍一層ITO作為電流擴(kuò)展層；

2)通過(guò)光刻、曝光、顯影，制備出LED陣列圖形區(qū)，圖形尺寸5-200微米，每個(gè)LED尺寸為微米級(jí)；

3)在圖形區(qū)制備出若干LED微米柱；

4)第二次光刻，曝光，顯影，制備出深刻蝕溝道圖形；等離子體深刻蝕出向下延伸至藍(lán)寶石表面的深刻蝕溝道，將若干LED微米柱劃分成幾個(gè)獨(dú)立的陣列單元；

5)第三次光刻，曝光，顯影出N型GaN區(qū)域，沉積N型電極金屬；

6)大面積蒸鍍絕緣層；

7)第四次光刻，曝光，顯影，光刻膠選擇微米LED頂層及部分N電極頂層區(qū)域，去除該部分絕緣層，并蒸鍍P型反射電極；

8)第五次光刻，曝光，顯影，在各個(gè)LED陣列單元沉積各自的焊盤(pán)金屬，實(shí)現(xiàn)陣列內(nèi)所有LED并聯(lián)；

9)在散熱基板上利用金屬化技術(shù)，沉積金屬焊盤(pán)；

10)使用精準(zhǔn)共晶焊儀器，將散熱基板與芯片精準(zhǔn)焊接，實(shí)現(xiàn)各個(gè)陣列間串聯(lián)。

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟1)中外延片首先經(jīng)過(guò)酸洗、有機(jī)清洗后烘干。

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟3)采用ICP刻蝕制備LED微米柱。

4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟6)中絕緣層為AlN。