[發明專利]一種用于高速低功耗相變存儲器的Ge/Sb類超晶格相變薄膜材料有效
| 申請號： | 201810257171.0 | 申請日： | 2015-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN108539013B | 公開（公告）日： | 2021-04-27 |
| 發明（設計）人： | 胡益豐;朱小芹;吳世臣;鄒華;袁麗;吳衛華;張建豪;眭永興;沈大華 | 申請（專利權）人： | 江蘇理工學院 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;B82Y30/00;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/16;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 常州市江海陽光知識產權代理有限公司 32214 | 代理人： | 孫培英 |
| 地址： | 213001 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 高速 功耗 相變 存儲器 ge sb 晶格 薄膜 材料 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于高速低功耗相變存儲器的Ge/Sb類超晶格相變薄膜材料，其特征在于：Ge/Sb類超晶格相變薄膜材料為多層膜結構，由Ge層和Sb層交替沉積復合而成，將一層Ge層和一層Sb層作為一個交替周期，后一個交替周期的 Ge層沉積在前一個交替周期的Sb層上方；
所述Ge/Sb類超晶格相變薄膜材料的膜結構用通式[Ge(a)/Sb(b)]x表示，其中a為單層Ge層的厚度， a=5nm；b為單層Sb層的厚度， b=1nm 或3nm ；x為Ge層和Sb層的交替周期數，x=6或8；48nm≤（a+b）*x≤72nm。
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