[發(fā)明專利]包括相異存儲器單元的混合DRAM陣列

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810256951.3
• 申請日: 2018-03-27
• 公開（公告）號: CN108694973B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張牧天;牛迪民;鄭宏忠
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/4063
• 分類號: G11C11/4063;G11C11/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

1.一種混合存儲器，包括：

多個片區(qū)，其包括多個行，所述多個行包括具有第一類型存儲器單元的第一行和具有第二類型存儲器單元的第二行，其中，所述第一類型存儲器單元和所述第二類型存儲器單元具有不同的單元結(jié)構(gòu)，并且其中，所述第一類型存儲器單元和所述第二類型存儲器單元是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器單元；

一對位線選擇信號，其包括位線選擇信號和作為所述位線選擇信號的反相的反位線選擇信號；

字線驅(qū)動器，其被構(gòu)造為接收輸入數(shù)據(jù)；

讀出放大器，被構(gòu)造為輸出輸出數(shù)據(jù)；

寫入位線，其耦接到所述第一行和所述第二行；

讀取位線，其耦接到所述第一行和所述第二行；

字線，其耦接到所述多個行中的每一行；以及

位線，其基于所述一對位線選擇信號的設(shè)置值而耦接到所述寫入位線或所述讀取位線，

其中，從所述字線驅(qū)動器到所述寫入位線建立寫入數(shù)據(jù)路徑，并且由所述字線驅(qū)動器驅(qū)動的輸入數(shù)據(jù)被寫入到基于所述字線從所述多個行中選擇的行，并且

其中，從所述寫入位線或所述讀取位線到所述位線建立讀取數(shù)據(jù)路徑，并且從基于所述字線從所述多個行中選擇的行來讀取輸出數(shù)據(jù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合存儲器，其中，所述第一類型存儲器單元提供高密度，并且所述第二類型存儲器單元提供快速訪問速度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的混合存儲器，其中，所述讀取位線比所述寫入位線短。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的混合存儲器，其中，用于控制對所述混合存儲器的訪問的存儲器控制器應(yīng)用不同的定時來訪問具有所述第一類型存儲器單元的所述第一行和具有所述第二類型存儲器單元的所述第二行。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的混合存儲器，其中，訪問所述第二行的定時比訪問所述第一行的定時短。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的混合存儲器，其中，所述第一類型存儲器單元是單晶體管單電容器存儲器單元，并且所述第二類型存儲器單元是三晶體管單電容器存儲器單元。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的混合存儲器，其中，所述混合存儲器包括多個子陣列，所述多個子陣列包括具有所述第一類型存儲器單元的第一子陣列和具有所述第二類型存儲器單元的第二子陣列。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的混合存儲器，其中，具有所述單晶體管單電容器存儲器單元的行的數(shù)量大于具有所述三晶體管單電容器存儲器單元的行的數(shù)量。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的混合存儲器，其中，所述三晶體管單電容器存儲器單元被布置為靠近所述讀出放大器。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合存儲器，其中，所述寫入位線和所述讀取位線耦接到預(yù)充電器。