[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201810256861.4
• 申請日: 2018-03-27
• 公開（公告）號: CN109326598A
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 李南宰
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/11582;H01L27/11556
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

半導體器件及其制造方法。可以提供一種半導體器件和一種制造半導體器件的方法。該半導體器件可以包括通過第一狹縫彼此隔離的第一垂直導電圖案和第二垂直導電圖案。該半導體器件可以包括至少一個第一半導電圖案，所述至少一個第一半導電圖案從第一垂直導電圖案朝向設置在第一狹縫的一側的第一區域延伸。該半導體器件可以包括至少一個第二半導電圖案，所述至少一個第二半導電圖案從第二垂直導電圖案朝向設置在第一狹縫的另一側的第二區域延伸。

技術領域

本公開的一方面可以總體上涉及半導體器件及其制造方法，并且更具體地，涉及三維半導體器件及其制造方法。

背景技術

半導體器件包括能夠存儲數據的存儲單元晶體管。三維半導體器件可以包括沿著彼此不同的第一方向至第三方向布置的存儲單元晶體管。三維半導體器件包括用于將電信號傳輸到存儲單元晶體管的諸如選擇線和字線這樣的線。

發明內容

根據本公開的一方面，可以提供一種半導體器件。該半導體器件可以包括通過第一狹縫彼此隔離的第一垂直導電圖案和第二垂直導電圖案。該半導體器件可以包括至少一個第一半導電圖案，所述至少一個第一半導電圖案從所述第一垂直導電圖案朝向設置在所述第一狹縫的一側的第一區域延伸。該半導體器件可以包括至少一個第二半導電圖案，所述至少一個第二半導電圖案從所述第二垂直導電圖案朝向設置在所述第一狹縫的另一側的第二區域延伸。

根據本公開的一方面，可以提供一種制造半導體器件的方法。該方法可以包括以下步驟：通過交替地堆疊至少一對第一材料層和第二材料層來形成第一堆疊結構。所述方法可以包括以下步驟：形成第一狹縫，所述第一狹縫按照穿透所述第一材料層和所述第二材料層的方式將所述第一堆疊結構隔離成第一子堆疊結構和第二子堆疊結構，并且具有被垂直圖案覆蓋的兩個側壁。

附圖說明

圖1A和圖1B是根據本公開的實施方式的半導體器件的示意性電路圖。

圖2A、圖2B、圖3A和圖3B是例示根據本公開的實施方式的半導體器件的立體圖。

圖4是例示根據本公開的實施方式的半導電圖案、垂直導電圖案和孔的結構的立體圖。

圖5A和圖5B是例示根據本公開的實施方式的垂直導電圖案和單元插塞的布置的放大截面圖。

圖6A至圖6K是例示根據本公開的實施方式的半導體器件的制造方法的截面圖。

圖7A至圖7C是例示根據本公開的實施方式的半導體器件的制造方法的截面圖。

圖8A至圖8C例示根據本公開的實施方式的半導體器件的制造方法的截面圖。

圖9是例示根據本公開的實施方式的存儲系統的配置的框圖。

圖10是例示根據本公開的實施方式的計算系統的配置的框圖。

具體實施方式

將參照附圖來描述本公開的實施方式的示例。然而，本公開的實施方式的示例可以按照不同的方式來實施并且不應該被理解為限于本文中闡述的實施方式的示例。相反，提供這些實施方式的示例，使得本公開的公開內容將是徹底和完全的，并且將把本公開的范圍充分傳達給本領域的技術人員。在不脫離本公開的范圍的情況下，本公開的實施方式的示例的特征可以用于各種多個實施方式中。在附圖中，為了清晰起見，可以夸大層和區域的大小和相對大小。附圖不一定成比例。相似的參考標號始終是指相似的元件。

還要注意，在本說明書中，“連接/聯接”是指一個組件不僅直接聯接另一個組件，而且通過中間組件來間接聯接另一個組件。另一方面，“直接連接/直接聯接”是指一個組件在沒有中間組件的情況下直接聯接另一個組件。