[發明專利]攝像裝置及照相機系統有效
| 申請號: | 201810256675.0 | 申請日: | 2018-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN108878462B | 公開(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發明(設計)人: | 佐藤好弘 | 申請(專利權)人: | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N23/50 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 裝置 照相機 系統 | ||
1.一種攝像裝置,其特征在于,具備:半導體基板;多個像素,在上述半導體基板上在第一方向上排列;以及信號線,沿著上述第一方向延伸,傳送來自上述多個像素的輸出;上述多個像素分別具備:光電變換部,通過光電變換生成電荷;電荷儲存區域,電連接到上述光電變換部,儲存上述電荷;放大晶體管,其柵極連接到上述電荷儲存區域,將與儲存在上述電荷儲存區域中的電荷的量對應的信號向上述信號線輸出;第一電容元件,具有第一端子、第二端子,第一端子連接到上述電荷儲存區域;第二電容元件,具有第三端子、第四端子,上述第三端子連接到上述第二端子,上述第四端子連接到基準電位;反饋晶體管,其源極及漏極中的一方連接到上述第二端子;以及反饋電路,形成使上述放大晶體管的輸出經由上述反饋晶體管向上述電荷儲存區域負反饋的反饋路徑;上述反饋路徑中的從上述反饋晶體管到上述第一電容元件的路徑,位于比上述信號線更靠上述半導體基板一側,上述第二電容元件具備第一電極、位于比上述第一電極距上述半導體基板更遠處的第二電極、和上述第一電極與上述第二電極之間的電介體層,上述反饋晶體管的上述源極及上述漏極中的上述一方,經由上述第一電極連接到上述第一電容元件的上述第二端子,上述第二電容元件位于上述信號線和上述半導體基板之間。
2.如權利要求1所述的攝像裝置,其特征在于,上述放大晶體管的源極及漏極中的一方和上述反饋晶體管的上述源極及上述漏極中的另一方在上述像素內連接;上述反饋路徑中的從上述放大晶體管到上述第一電容元件的路徑,位于比上述信號線更靠上述半導體基板一側。
3.如權利要求2所述的攝像裝置,其特征在于,上述放大晶體管的上述源極及上述漏極中的上述一方,經由上述半導體基板的上方的半導體層連接到上述反饋晶體管的上述源極及上述漏極中的上述另一方。
4.如權利要求2所述的攝像裝置,其特征在于,上述放大晶體管包括上述半導體基板內的第一擴散層,作為上述放大晶體管中的上述源極及上述漏極中的上述一方;上述反饋晶體管包括上述半導體基板內的第二擴散層,作為上述反饋晶體管的上述源極及上述漏極中的上述一方;上述第一擴散層和上述第二擴散層是連續的單一的擴散層。
5.如權利要求1所述的攝像裝置,其特征在于,上述反饋電路包括反轉放大器;上述放大晶體管的源極及漏極中的一方,經由上述反轉放大器連接到上述反饋晶體管的上述源極及上述漏極中的另一方。
6.如權利要求5所述的攝像裝置,其特征在于,具備沿著上述第一方向延伸并傳送上述反轉放大器的輸出的反饋線;上述反饋線包含在與上述信號線相同的布線層中。
7.如權利要求1所述的攝像裝置,其特征在于,上述光電變換部包括連接到上述電荷儲存區域的像素電極、對置于上述像素電極的對置電極、和上述像素電極與上述對置電極之間的光電變換層。
8.如權利要求1所述的攝像裝置,其特征在于,上述光電變換部包括上述半導體基板內的光電二極管。
9.如權利要求8所述的攝像裝置,其特征在于,上述電荷儲存區域經由傳輸晶體管電連接到上述光電變換部。
10.一種照相機系統,其特征在于,具備:權利要求1~9中任一項所述的攝像裝置;透鏡光學系統,使上述攝像裝置成像;以及照相機信號處理部,處理從上述攝像裝置輸出的信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





