[發(fā)明專利]一種體內(nèi)力學(xué)環(huán)境模擬裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810256432.7
• 申請(qǐng)日: 2018-03-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110305787A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉暢;吳芃;張洪波;秦玉杰;戴友洵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華東理工大學(xué)
• 主分類號(hào): C12M3/00
• 分類號(hào): C12M3/00;C12M1/36;C12M1/00
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種體內(nèi)力學(xué)環(huán)境模擬裝置，包括：

一細(xì)胞培養(yǎng)基存儲(chǔ)腔，用于存儲(chǔ)細(xì)胞培養(yǎng)基；

一細(xì)胞培養(yǎng)裝置，具有一培養(yǎng)基入口和一培養(yǎng)基出口；所述培養(yǎng)基入口通過(guò)一蠕動(dòng)泵與所述細(xì)胞培養(yǎng)基存儲(chǔ)腔流體連接，所述培養(yǎng)基出口與所述細(xì)胞培養(yǎng)基存儲(chǔ)腔流體連接，形成循環(huán)通路；其中，

所述細(xì)胞培養(yǎng)裝置內(nèi)設(shè)置一壓電陶瓷片，所述壓電陶瓷片與一信號(hào)發(fā)生裝置導(dǎo)電連接，通過(guò)所述信號(hào)發(fā)生裝置控制所述壓電陶瓷片的振幅和頻率。

2.如權(quán)利要求1所述的模擬裝置，其特征在于，所述細(xì)胞培養(yǎng)裝置包括：

相對(duì)設(shè)置的一上基板和一下基板，以及，

一微流道芯片，所述微流道芯片夾設(shè)于所述上基板與下基板之間；其中，

所述下基板上固定設(shè)置所述壓電陶瓷片，使得所述壓電陶瓷片與所述微流道芯片相接觸。

3.如權(quán)利要求2所述的模擬裝置，其特征在于，所述微流道芯片包括：

一微流道結(jié)構(gòu)板，所述微流道結(jié)構(gòu)板上形成內(nèi)凹的微流道結(jié)構(gòu)，并且所述微流道結(jié)構(gòu)具有一流體輸入端和一流體輸出端；以及，

一上蓋板，所述上蓋板覆蓋于所述微流道結(jié)構(gòu)板之上，并且，所述上蓋板在對(duì)應(yīng)于所述流體輸入端與所述流體輸出端處分別具有一貫穿孔，以形成所述細(xì)胞培養(yǎng)裝置的所述培養(yǎng)基入口及所述培養(yǎng)基出口。

4.如權(quán)利要求3所述的模擬裝置，其特征在于，所述下基板上還固定設(shè)置至少一應(yīng)變片，所述應(yīng)變片設(shè)置于所述微流道芯片內(nèi)。

5.如權(quán)利要求3所述的模擬裝置，其特征在于，所述上基板與所述下基板通過(guò)螺栓固定連接。

6.如權(quán)利要求3所述的模擬裝置，其特征在于，所述培養(yǎng)基入口通過(guò)聚乙烯管與所述蠕動(dòng)泵流體連接，所述蠕動(dòng)泵通過(guò)聚乙烯管與所述細(xì)胞培養(yǎng)基存儲(chǔ)腔流體連接，并且，所述培養(yǎng)基出口通過(guò)聚乙烯管與所述細(xì)胞培養(yǎng)基存儲(chǔ)腔流體連接。

7.如權(quán)利要求4所述的模擬裝置，其特征在于，所述應(yīng)變片與一數(shù)據(jù)分析裝置導(dǎo)電連接，用于接收并處理所述應(yīng)變片的測(cè)量數(shù)據(jù)。

8.如權(quán)利要求7所述的模擬裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)分析裝置為一數(shù)據(jù)采集卡。