[發明專利]數據儲存裝置及應用于其上的操作方法

有效

• 申請號: 201810255285.1
• 申請日: 2018-03-23
• 公開（公告）號: CN109801668B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 包鎰華;胡文基
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G06F12/16
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

一種數據儲存裝置及應用于其上的操作方法，數據儲存裝置包括第一記憶體以及控制器。第一記憶體具有錯誤校正能力。控制器耦接第一記憶體，控制器用以計算第一記憶體的錯誤次數。當控制器判斷滿足警報條件時，控制器回報信息至主機，警報條件相關于第一記憶體的錯誤次數以及次數臨界值。

技術領域

本發明涉及一種數據儲存裝置及應用于其上的操作方法，且特別涉及一種具有錯誤校正能力，并且能夠將問題及早通知主機之數據儲存裝置。

背景技術

隨著半導體工藝技術的演進，記憶體的容量以及密度迅速成長，記憶體所儲存數據出現錯誤的機率也提升提高。因應于此，目前數據儲存裝置通常使用錯誤檢測以及錯誤校正的技巧，以有效保護記憶體所儲存的數據，避免受到錯誤影響，并且提高數據儲存裝置的可靠度。本發明提出一種適用于具有錯誤校正能力的數據儲存裝置的操作方法，以期及早發現記憶體可能存在的問題。

發明內容

本發明的目的在于一種數據儲存裝置及應用于其上的操作方法，能夠及早發現記憶體可能存在的問題以通知主機。

根據本發明的一實施例，提出一種數據儲存裝置，包括第一記憶體以及控制器。第一記憶體具有錯誤校正能力。控制器耦接第一記憶體，控制器用以計算第一記憶體的一錯誤次數。當控制器判斷滿足警報條件時，控制器回報信息至主機，警報條件相關于第一記憶體的錯誤次數以及次數臨界值。

根據本發明的另一實施例，提出一種用于數據儲存裝置的操作方法，數據儲存裝置包括控制器及第一記憶體，此操作方法包括下列步驟。控制器計算第一記憶體的錯誤次數；當控制器判斷滿足警報條件時，回報信息至主機，警報條件相關于第一記憶體的錯誤次數以及次數臨界值。

以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述，但不作為對本發明的限定。

附圖說明

圖1繪示依照本發明一實施例的數據儲存裝置示意圖；

圖2繪示依照本發明一實施例的控制器示意圖；

圖3繪示依照本發明一實施例用于數據儲存裝置的操作方法流程圖；

圖4繪示依照本發明一實施例包括第一記憶體及第二記憶體的數據儲存裝置示意圖；

圖5繪示依照本發明一實施例包括第一記憶體、第二記憶體、及第三記憶體的數據儲存裝置示意圖；

圖6繪示依照本發明一實施例的數據儲存裝置示意圖；

圖7A及圖7B繪示依照本發明一實施例用于如圖6所示數據儲存裝置的操作方法流程圖。

其中，附圖標記

10：數據儲存裝置

90：主機

110：控制器

112：只讀記憶體

114：處理單元

121：第一記憶體

122：第二記憶體

123：第三記憶體

131：NAND快閃記憶體

132：靜態隨機存取記憶體

133：動態隨機存取記憶體

S201、S203、S300、S301、S302、S303、S304、S311、S312、S313、S314、S320、S321、S330、S331、S340：步驟

具體實施方式

下面結合附圖對本發明的結構原理和工作原理作具體的描述：