[發明專利]一種透明的晶面取向可控的銳鈦礦TiO2納米管陣列薄膜的制備方法在審
| 申請號: | 201810254818.4 | 申請日: | 2018-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN108588788A | 公開(公告)日: | 2018-09-28 |
| 發明(設計)人: | 王劉杰;潘洪革;陳改榮;張慶新;馬志華;朱香玉;程天樂 | 申請(專利權)人: | 新鄉學院;河南捷源盛新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C25D11/26 | 分類號: | C25D11/26;B82Y40/00;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司: | 新鄉市平原智匯知識產權代理事務所(普通合伙) 41139 | 代理人: | 路寬 |
| 地址: | 453003 *** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列薄膜 晶面取向 陽極氧化 銳鈦礦 透明的 制備 可控的 沉積 陰極 磁控濺射沉積 光電轉化效率 電解液組成 陽極 退火處理 管式爐 可控性 單晶 非晶 透明 | ||
1.一種透明的晶面取向可控的銳鈦礦TiO2納米管陣列薄膜的制備方法,其特征在于具體步驟為:
(1)將ITO導電玻璃切割成大小為10×33mm的ITO導電玻璃片,再將ITO導電玻璃片依次用異丙醇、丙酮和無水甲醇超聲清洗5min,隨后用高純氮氣吹干;
(2)將ITO導電玻璃片放入磁控濺射沉積系統中,在濺射鍍膜開始之前,首先將艙內氣壓抽至10-3mTorr以下,隨后將高純氬氣充入艙內至壓強達到10mTorr,使用的電源為射頻電源,沉積功率為100W,基底溫度為400℃,直流偏壓為10V,沉積反應3h在ITO導電玻璃片上沉積(002)晶面取向的Ti膜;
(3)在雙電極體系中,以Pt電極為陰極,以沉積Ti膜的ITO導電玻璃片為陽極進行陽極氧化,兩電極之間的距離為4cm,陽極氧化法采用恒壓方式,使用直流電壓為40V,初始電流為0.10A,電解液為含有0.75wt% NH4F和1-10vol% H2O的乙二醇溶液,室溫下陽極氧化至Ti膜透明得到非晶TiO2納米管陣列薄膜;
(4)將沉積非晶TiO2納米管陣列薄膜的ITO導電玻璃片置于管式爐中進行退火,使樣品從非晶態轉變為銳鈦礦,具體退火條件為:從室溫1.5h內升溫至450℃并維持3h,然后自然降至室溫制得透明銳鈦礦TiO2納米管陣列薄膜,其中通過調節電解液中水的含量可控合成不同晶面取向的TiO2納米管陣列薄膜。
2.根據權利要求1所述的透明的晶面取向可控的銳鈦礦TiO2納米管陣列薄膜的制備方法,其特征在于:步驟(2)中所述Ti膜的厚度為2.6μm。
3.根據權利要求1所述的透明的晶面取向可控的銳鈦礦TiO2納米管陣列薄膜的制備方法,其特征在于:步驟(3)中所述電解液為含有0.75wt% NH4F和2vol% H2O的乙二醇溶液,最終制得(004)晶面取向的TiO2納米管陣列薄膜。
4.根據權利要求1所述的透明的晶面取向可控的銳鈦礦TiO2納米管陣列薄膜的制備方法,其特征在于:步驟(3)中所述電解液為含有0.75wt% NH4F和6vol% H2O的乙二醇溶液,最終制得(004)+(101)晶面取向的TiO2納米管陣列薄膜。
5.根據權利要求1所述的透明的晶面取向可控的銳鈦礦TiO2納米管陣列薄膜的制備方法,其特征在于:步驟(3)中所述電解液為含有0.75wt% NH4F和7-10vol% H2O的乙二醇溶液,最終制得(004)+(101)晶面取向的TiO2納米管陣列薄膜。
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